徐以兵
,
何德良
,
周舟
,
钟建芳
表面技术
doi:10.3969/j.issn.1001-3660.2008.03.001
采用交流阻抗技术研究了表面活性剂对不同条件下双-1,2-[3(三乙氧基)硅丙基]四硫化物硅烷在铝合金表面阴极电化学辅助沉积成膜的影响.研究表明:在硅烷溶液中加入表面活性剂进行改性,可降低硅烷在铝合金表面电化学沉积的阴极沉积电位,抑制硅烷沉积过程中的析H2作用,改善电极界面区域硅烷成膜环境.试验证明:硅烷溶液中表面活性剂的最佳改性浓度为0.03%,在此浓度下,铝合金表面硅烷阴极电沉积的最佳沉积电位为-1.6V.
关键词:
表面活性剂
,
铝合金
,
最佳沉积电位
,
硅烷膜
,
电化学沉积
