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α-Al_2O_3单晶的中子辐照效应研究

张海亮 , 张明福 , 左洪波 , 韩杰才 , 钟玉荣 , 郭怀新

稀有金属材料与工程

选用能量为0.1~500 MeV、总注量为1.0×10~(18) neutron/cm~2的快中子对α-Al_2O_3单晶进行辐照.采用吸收光谱和荧光光谱研究了α-Al_2O_3单晶经辐照后的缺陷形成及光学性能变化.α-Al_2O_3单晶经快中子辐照后出现着色现象,在206、228及256 nm等处出现吸收峰.荧光光谱出现了326、331及379 nm等荧光吸收峰值.分析表明,中子辐照在α-Al_2O_3单晶中产生了F~+、F_2及F_3~+等色心类型,该类吸收色心起源于α-Al_2O_3单晶中氧空位,并计算了辐照退火前后的色心浓度N.正电子湮没寿命结果表明,经快中子辐照后,α-Al_2O_3单晶产生单空位及多空位,且多空位浓度增大幅度比单空位的增大幅度大.

关键词: α-Al_2O_3单晶 , 中子辐照 , 色心

退火温度对CsI(Tl)薄膜微观结构和闪烁性能的影响

程峰 , 钟玉荣 , 王宝义 , 王天民 , 魏龙

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2008.04.023

采用真空热蒸发法制备了CsI(Tl)薄膜,然后进行了不同温度的真空热处理.用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、X射线荧光光谱仪及正电子寿命谱仪对CsI(Tl)薄膜样品进行了分析,并测得了样品的光产额.结果表明,该CsI(Tl)薄膜沿(200)晶而择优取向生长.经过较低温度退火,CsI薄膜中的Tl+离子向薄膜表面扩散,薄膜中缺陷数量增加,且尺寸较大,光产额略微增高.经过250°C退火,薄膜中低温退火所形成缺陷得到恢复,薄膜缺陷尺寸变小,且数目减少,具有较好的结晶状态,光产额提高.经过400°C退火,薄膜结构发生显著变化,薄膜中缺陷大幅增加,结晶状态变差, Ti+含量减少,光产额急剧下降.

关键词: CsI薄膜 , 微观结构 , 闪烁性能

无机闪烁薄膜的研究进展

钟玉荣 , 王宝义 , 于润升

材料导报

综述了无机闪烁薄膜材料的制备与表征、发光与闪烁性质以及当前的发展和应用情况.针对X射线高分辨成像的要求,具有较高有效原子序数和较大密度的无机闪烁材料成为当今研究的热点,重点阐述了溶胶-凝胶法制备这类闪烁薄膜的研究现状,并对其今后的发展进行了展望.

关键词: 闪烁薄膜 , 溶胶-凝胶法 , X射线成像 , 高分辨

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