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等效厚度评估GaAs MMIC的Si3N4电容可靠性

黄云 , 钮利荣 , 林丽

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2004.04.019

通过不同 GaAs MMIC的 MIM Si3N4电容结构, 运用 TDDB理论研究分析了斜坡电压下的 MIM Si3N4电容的导电特性和击穿特性,确定了 GaAs MMIC的 MIM Si3N4电容失效不是介质本征 击穿导致失效,而主要是由 Si3N4 介质的缺陷引起.基于缺陷导致介质电场击穿的原...

关键词: Si3N4电容 , 等效厚度 , 评估 , 可靠性