钱家骏
,
叶小玲
,
徐波
,
韩勤
,
陈涌海
,
丁鼎
,
梁基本
,
刘峰奇
,
张金福
,
张秀兰
,
王占国
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.03.027
介绍了InAs/GaAs量子点激光器的材料生长,器件制备及其光学特性的研究.器件为条宽100μm,腔长1600μm未镀膜激器.室温阈值电流密度为221A/cm2,激射波长为1.08μm,连续波工作最大光功率输出为2.74W(双面),外微分效率为88%,经50oC,1000h老化,仍有>1.2W的光功率输出.
关键词:
InAs/GaAs应变自组装量子点材料
,
量子点激光器
,
电致发光谱(EL)
,
MBE外延生长
林兰英
,
王占国
,
钱家骏
,
葛惟锟
,
万寿科
,
林汝淦
材料研究学报
直拉硅单晶中新施主(ND)的形成不仅依赖于其氧含量,而且为碳的存在所促进;此外,原生晶体中的微缺陷也起非常重要的作用。我们求出的新施主能级分别为E_(ND)(Ⅰ)=50±5meV,E_(ND)(Ⅱ)=100±10meV(对于P 型单晶)以及E_(ND)(Ⅲ)=25meV(对于N 型单晶)。
关键词:
