钱聪
,
张恩霞
,
贺威
,
张正选
,
张峰
,
林成鲁
,
王英民
,
王小荷
,
赵桂茹
,
恩云飞
,
罗宏伟
,
师谦
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2006.04.012
研究了在改性注氧隔离(SIMOX)材料上制备的具有环栅和H型栅结构的部分耗尽NMOS晶体管在三种不同偏置状态的总剂量辐照效应.实验表明在10keV的X-射线总剂量辐照下,器件的背栅、正栅阈值电压负向漂移和漏电流都控制在较小的水平;在2Mrad(SiO2)的辐照下仍能正常工作.研究证实了无论哪种栅结构,对于背栅,PG均为最劣偏置,其次是OFF偏置,而ON偏置下器件受辐照的影响最小;而对于正栅,ON均为最劣偏置.通过拟合计算出了绝缘埋层(BOX,即埋氧)中的饱和净正电荷密度Not和空穴俘获分数α.
关键词:
绝缘体上硅(SOI)
,
总剂量辐照效应
,
环栅结构
,
H型栅结构
俞文杰
,
张正选
,
张恩霞
,
钱聪
,
贺威
,
田浩
,
陈明
,
王茹
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2007.06.008
通过实验研究了部分耗尽SOI NMOSFET总剂量辐射效应与辐射时的偏置状态的关系,实验结果表明TG(Transition Gate)是最恶劣的偏置状态.随后分别用MEDICI模拟软件和数值模型模拟掩埋氧化层中的电场强度与空穴俘获率.模拟结果合理地解释了实验结果,掩埋氧化层中的高电场和高空穴俘获率是TG为最恶劣偏置状态的主要原因.
关键词:
SOI
,
总剂量辐射
,
背沟道
,
掩埋氧化层
王浩
,
赵丽
,
杨红梅
,
潘红艳
,
史海良
,
钱聪
,
张杉
色谱
doi:10.3724/SP.J.1123.2015.04046
建立了液相色谱?质谱测定牛奶中35种四环素类、磺胺类、青霉素类、大环内酯类、氯霉素类等5类抗生素残留的检测方法。样品经碱性乙腈?Mcllvaine缓冲液超声提取，用Eclipse XDB?C8色谱柱（150 mm×2?1 mm，3?5μm）分离，梯度洗脱，流速0?25 mL／min，进样量10μL，采用多反应监测正离子或负离子模式，可以一次性对牛奶中的目标化合物进行定性和定量测定。在优化条件下，35种化合物的检出限均低于10?0μg／kg，方法回收率为70?1％～109?9％，相对标准偏差（ RSD）为2?89％～9?99％。结果表明该方法适用于牛奶中抗生素残留的检测。采用所建立的检测方法对市售的50种不同乳品进行了检测，其中一个样品检出氯霉素含量为0?48μg／kg。检测结果表明，中国市场上销售的乳品氯霉素污染的风险仍然存在。本研究建立的液相色谱?质谱联用方法实现了牛奶中35种四环素类、磺胺类、青霉素类、大环内酯类、氯霉素类等5类抗生素残留的测定。该方法简单、快捷、经济，可实现多种抗生素残留的快速测定。
关键词:
液相色谱-串联质谱
,
抗生素
,
牛奶
贺威
,
张恩霞
,
钱聪
,
张正选
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2006.04.013
采用硅离子注入工艺对注氧隔离(SIMOX)材料进行改性,在改性材料和标准SIMOX材料上制作了部分耗尽环型栅CMOS/SOI反相器,并对其进行60Co γ射线总剂量辐照试验.结果表明,受到同样总剂量辐射后,改性材料制作的反相器与标准SIMOX材料制作的反相器相比,转换电压漂移小的多,亚阈漏电也得到明显改善,具有较高的抗总剂量辐射水平.
关键词:
离子注入
,
注氧隔离
,
绝缘体上硅(SOI)
,
总剂量辐射效应
钱聪
,
吴希俊
,
罗伟
,
周宇松
,
林良道
材料导报
主要总结了纳米金属块材的力学性能的最新研究进展,包括弹性和滞弹性、强度和硬度、拉伸和压缩塑性力学性能、断裂韧度、蠕变和超塑性、疲劳和磨损性能,与粗晶多晶材料进行了比较;探讨了影响纳米金属力学行为的本征和非本征因素;并简要分析了纳米晶金属的形变机制.
关键词:
纳米金属块体材料
,
力学性能
,
弹性
,
强度
,
硬度
,
蠕变和超塑性
,
疲劳与磨损
,
形变机制
