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抗辐照 H型栅 PD SOI NMOSFETs

赵洪辰 , 海潮和 , 韩郑生 , 钱鹤

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2005.01.016

在商用 SIMOX衬底上制备了部分耗尽抗辐照 H型栅 NMOSFETs,使用的主要技术手段有: 氮化 H2- O2合成栅介质加固正栅;增加体区掺杂,以提高背栅阈值电压;采用 H型栅结构,消除边 缘寄生晶体管.结果表明,在经受 1E6rad(Si)的辐照后,器件特性没有明显恶化.

关键词: SOI , 总剂量辐照 , 氮化H2-O2合成栅介质 , H型栅

SOI射频集成器件研制

杨荣 , 李俊峰 , 钱鹤 , 韩郑生

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2005.02.011

提出了包含射频有源和无源器件的SOI集成结构及工艺方案,在同一SIMOX衬底上制作了射频LDMOS、NMOS、电感、电容、电阻和变容管.核心的LDMOS、NMOS和电感器件均获得了优良的电学特性:0.25μm栅长的LDMOS截止频率和关态击穿电压分别为19.3 GHz和16.1 V;而0.25μm栅长的NMOS对应参数则为21.3 GHz和4.8 V;采用开发的局部介质增厚技术后,2 nH、5 nH、10 nH螺旋电感的最大品质因数分别达到了6.5、5.0、4.0,相对于不采用此技术的电感(最大品质因数分别为4.3、3.2、2.3),分别改善了77%,58%,49%.

关键词: 射频 , 绝缘硅 , LDMOS , NMOS , 电感 , 结构 , 制造

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