刘学杰
,
魏怀
,
陆峰
,
吴帅
,
任元
,
银永杰
,
张素慧
复合材料学报
为了研究Ti Si-N薄膜生长过程中界面的形成,采用第一性原理计算了在TiN(001)表面上3N-2Ti-1Si、4N-1Ti-1Si和4N-2Ti-1Si岛的各构型的总能量和吸附能,并且利用推移弹性带(NEB)的方法计算了各岛构型演变过程中所需的迁移激活能.计算结果表明:Ti粒子在岛内的构型是低能...
关键词:
界面形成条件
,
相分离
,
构型演变
,
激活能
,
第一性原理
刘学杰
,
魏怀
,
任元
,
陆峰
,
张素慧
,
银永杰
材料工程
doi:10.3969/j.issn.1001-4381.2014.04.008
采用基于密度泛函理论的第一性原理方法研究CVD金刚石薄膜(001)表面的生长机理.计算清洁金刚石表面和氢(H)终止金刚石表面的构型.考察H原子和活性基团(C,CH,CH2和CH3)在清洁重构金刚石表面及在单层H终止金刚石表面上的吸附演变.结果表明:清洁金刚石表面发生了对称二聚体重构,H原子终止金刚石...
关键词:
第一性原理
,
CVD金刚石薄膜
,
基团
,
生长机理
,
吸附演变