门海泉
,
周灵平
,
刘新胜
,
李德意
,
李绍禄
,
肖汉宁
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.05.048
采用直流双靶磁控溅射聚焦共沉积技术在Fe衬底上高速率生长AlN薄膜,结果表明,双靶共沉积技术有效地提高了AlN薄膜生长速率,相同工作气压或低N2浓度时双靶磁控溅射沉积速率约为单靶沉积速率的2倍;随着溅射系统内工作气压或N2浓度的升高,薄膜生长速率不断减小;薄膜择优取向与薄膜生长速率相互影响,随着工作...
关键词:
AlN薄膜
,
共沉积
,
生长速率
,
磁控溅射
,
择优取向
