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用Zn掺杂和热处理改善SnS薄膜的电学特性

贾影 , 李健 , 闫君

功能材料

用质量比为1％∶0.2％(质量分数)的Sn、S混合粉末在玻璃衬底上热蒸发沉积SnS薄膜,氮气保护下对薄膜进行350℃、40min热处理后,得到简单正交晶系SnS多晶薄膜,薄膜的电阻率为103 Ω·cm,选择2％和4％(质量分数)的Zn掺杂来改善SnS薄膜的导电性.研究表明,SnS∶Zn薄膜最有效的热处理条件为300℃、40min,掺Zn后薄膜的物相结构转为简单正交和面心正交晶系混合相,SnS∶Zn薄膜(2％和4％(质量分数))的电阻率在1.8528 × 10-3～4.944×10-4 Ω·cm之间,导电类型为N型.薄膜中Sn和S分别呈+2和-2价,Zn显示+2价,以间隙和替位两种状态存在于SnS中,对薄膜导电性起改善作用的是间隙态的Zn离子.

关键词: 热蒸发 , 热处理 , SnS薄膜 , Zn掺杂 , 电学特性

稀土Dy掺杂纳米SnO2薄膜的结构与气敏特性

闫君 , 李健 , 汪良

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2009.04.002

采用真空蒸发法在玻璃衬底上制备稀土Dy掺杂Sn薄膜,对薄膜进行合适的氧化、热处理后获得Dy掺杂SnO2薄膜.用X射线衍射、场发射扫描电子显微镜、静态配气法对薄膜性能进行测试,研究不同掺Dy含量和热处理条件对SnO2薄膜的影响.结果显示,制备的SnO2薄膜呈金红石结构为n型;在相同热处理条件下,Dy掺杂可明显缩短薄膜氧化、热处理的时间;适当掺入稀土Dy可明显改善SnO2薄膜的结构、气敏特性.掺Dy 3at%后可大大提高SnO2薄膜对丙酮气体的灵敏度.

关键词: 真空蒸发 , SnO2薄膜 , Dy掺杂 , 气敏特性

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