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快中子辐照硅中双空位的退火行为研究

杨帅 , 邓晓冉 , 徐建萍 , 陈贵锋 , 闫文博

硅酸盐通报

本文利用傅立叶变换红外光谱技术(FTIR)及正电子湮没谱技术(PAS)对快中子辐照硅中的双空位(V2)的退火行为作了详细研究.研究发现区熔硅中双空位在250 ℃热处理会通过相互连接形成链状而在红外光谱中消失,提高退火温度到350～450 ℃,它们将进一步结合形成具有三维结构的四空位型缺陷;而在直拉硅...

关键词: 辐照缺陷 , 硅 , 双空位 , FTIR