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沉积电位对CdSe纳米晶薄膜的结构、形貌和光学性质的影响

于子龙 , 陈福义 , 介万奇 , 闫晓红

功能材料

使用电化学法在ITO玻璃上制备了CdSe纳米晶薄膜.研究了沉积电位对薄膜晶体结构、表面形貌及光学性质的影响,并讨论了所得样品禁带宽度与晶粒尺寸的关系.X-ray衍射结果表明:沉积电位在-600~-700mV之间均可得到立方相CdSe,晶粒尺寸随沉积电位降低而增大.原子力显微镜观察表明,沉积电位较高时,粒子聚集为块状或柱状,沉积电位较低时,粒子呈现不均匀团聚.透射光谱测试显示:在350~850nm波段范围内,随沉积电位降低,透过率降低,吸收边红移.所得样品的禁带宽度均比体相CdSe大,且随晶粒尺寸的增大而减小,表现出明显的量子尺寸效应.

关键词: 电沉积 , 薄膜 , 量子尺寸效应 , CdSe

银铜纳米枝晶的生长及光学吸收性质

张金生 , 陈福义 , 闫晓红 , 刘婧 , 樊莉红

贵金属 doi:10.3969/j.issn.1004-0676.2011.04.007

通过电沉积法制备出了Ag - Cu纳米枝晶,并表征了样品的晶体结构、微观形貌以及光学吸收特性.结果表明:当Ag+:Cu2>1时,制备出银铜纳米单相合金,Ag+:Cu2+< 1/4时,制备出银铜纳米双相合金.当E=-0.2V时,形成单个银铜纳米粒子和粒子团簇,吸收峰位于402 nm处:随着沉积电位的增加,形成纳米枝晶,且光学吸收峰发生蓝移.在不同成分的银铜合金中,当Ag+Cu2+=4:1时,形成银铜纳米枝晶,吸收峰在358 nm处,随着铜元素的增加,枝晶尺寸减小,光学吸收峰红移.结合电结晶理论和经典枝晶生长理论解释了Ag - Cu纳米枝晶的形成机制.

关键词: 金属材料 , 电沉积 , 银铜纳米枝晶 , 光学吸收 , 过电势 , 过饱和度 , 枝晶形成机制

单分散SiO2微球的合成及胶体晶体的生长

闫晓红 , 陈福义 , 于子龙 , 介万奇

功能材料

对传统的"Stober-Fink"合成SiO2微球的工艺进行了改进,运用"籽晶生长法"合成了单分散SiO2微球,该法可以准确地控制微球尺寸,提高微球的球形度.采用垂直沉积法制备了胶体晶体,并对样品的结构和光学性能进行了表征.研究了微球尺寸对垂直沉积SiO2胶体晶体光子带隙的影响,结果表明,通过控制微球粒径,可调节光子晶体的带隙位置.

关键词: SiO2微球 , 胶体晶体 , 垂直沉积

沉积电位对银纳米晶体生长形态的影响

张吉晔 , 陈福义 , 闫晓红

贵金属 doi:10.3969/j.issn.1004-0676.2011.02.006

在ITO导电玻璃基体上应用电沉积方法制备了银纳米晶体,通过调节沉积电位,制备了形貌和尺寸可控的样品.用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和紫外可见光谱仪(UV -Vis)分别对样品的结构、微观形貌以及光学性质进行了表征.结果表明:沉积电位是在一定范围内决定银纳米晶体的生长速度和最终生长形态的直接因素,在沉积电位E= 0.2~0 V(SCE)之间观察到了沿(111)面择优生长引起的多面体晶体-枝晶转化;通过UV - Vis光谱发现,当E= -0.2V时,在350 nm处有一个区别于其它电位的明显的吸收峰.

关键词: 物理化学 , 银纳米晶体 , 晶体生长形态 , 表面等离子共振

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