张维佳
,
王天民
,
崔敏
,
金飞
,
丁照崇
,
阎兰琴
稀有金属材料与工程
采用化学共沉淀法掺金属Nb,Ta和P到ITO材料中可使ITO(Indium Tin Oxide)靶相对密度达到97%～99%,并且靶电阻率小于3.0×10-4Ω·cm,其质量损失率小于4.0%.采用直接掺杂法将TiO2纳米粉末掺入到纳米ITO粉末中可使ITO靶相对密度达到95%以上.当烧结温度为1500℃时,掺Nb,Ta,P的ITO靶电阻率稍小于纯ITO靶的电阻率.
关键词:
ITO
,
溅射靶
,
烧结剂
,
掺杂
