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Ga掺杂ZnO电子结构的密度泛函计算

张富春 , 邓周虎 , 阎军锋 , 王雪文 , 张志勇

功能材料

根据密度泛函理论(DFT),采用"总体能量-平面波"超软赝势方法,对不同的Ga掺杂浓度的ZnO晶体几何结构进行了优化,从理论上给出了Ga掺杂ZnO晶体结构参数及性质,为ZnO材料的掺杂改性研究提供了理论依据.计算了Ga掺杂情况下ZnO晶体的总体能量、能带结构、总体态密度、分波态密度.分析了Ga掺杂对ZnO晶体电子结构和光学吸收带边的影响.

关键词: ZnO , 密度泛函 , 电子结构 , 掺杂 , 光吸收边 , Burstein-Moss移动

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