曹连振
,
蒋红
,
宋航
,
李志明
,
赵海峰
,
吕文辉
,
刘霞
,
郭万国
,
阎大伟
,
孙晓娟
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缪国庆
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2009.01.009
采用半导体光刻技术在硅衬底上获得图形化掩膜,然后用热化学气相淀积(T-CVD)的方法制备了图形化的碳纳米管线阵列,用扫描电镜和拉曼光谱仪对碳纳米管进行了表征.研究了图形化碳纳米管线阵列的场发射特性,并与无图形化处理的碳纳米管薄膜样品的场发射特性进行了比较.当发射电流密度达到10 μA/cm2时,无图形化处理的碳纳米管薄膜、10 μm碳纳米管线阵列以及2 μm碳纳米管线阵列样品的开启电场分别为3 V/μm、2.1 V/μm和1.7 V/μm;而当电场强度达3.67 V/μm时,相应的电流密度分别为2.57 mA/cm2、4.65 mA/cm2和7.87 mA/cm2. 实验结果表明,图形化处理后的碳纳米管作为场发射体,其场发射特性得到了明显的改善.对改善的原因进行了分析和讨论.
关键词:
碳纳米管
,
线阵列
,
热化学气相淀积
,
场发射特性
沈昌乐
,
王雪敏
,
黎维华
,
阎大伟
,
赵妍
,
罗跃川
,
彭丽萍
,
吴卫东
,
唐永建
材料导报
综述了太赫兹QCL(THzQCL)有源区结构设计与制备、波导结构设计和频率控制3方面的基本原理及研究进展.THzQCL有源区薄膜厚度、组分和掺杂浓度的精确控制是材料制备过程的关键.通过提高注入电流和器件温度的稳定性可以有效减小THzQCL线宽和提高频率稳定性.随着器件功率和频率特性的提升,THz QCL将在通讯、成像和谱分析等技术领域获得广泛的应用.
关键词:
太赫兹
,
QCL
,
有源区
,
波导
,
频率稳定性
