孔勇发
,
许京军
,
李冠告
,
黄自恒
,
陈绍林
,
李兵
,
陈云琳
,
张玲
,
刘士国
,
阎文博
,
刘宏德
,
王岩
,
孙骞
,
张心正
,
张国权
,
黄晖
,
张万林
,
张光寅
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2002.03.019
我们生长与后处理了一系列双掺铌酸锂晶体,通过光折变存储性能的测试,在这些晶体中,我们发现了三种双掺晶体:LN:Fe,Mg;LN∶Fe,In;LN∶Fe,Zn,它们具有优良的光折变存储性能,即高衍射效率(高达60～80%)、快光折变响应(比LN∶Fe 晶体缩短了一个数量级)、和强抗光散射能力(比LN∶Fe提高近两个数量级).我们还系统地研究了光强阈值效应与全息写入的关系以及全息写入与入射光强的关系,发现在光强阈值附近耦合强度有一最大值,从而提出了最佳写入光强的概念.另外,全息光栅热固定研究还显示,双掺铌酸锂晶体比单掺Fe的铌酸锂晶体具有更优良的热固定性质:快固定时间、高固定效率、长固定寿命等.
关键词:
铌酸锂
,
光折变
,
光存储
师丽红
,
孔勇发
,
阎文博
,
刘宏德
,
李晓春
,
谢翔
,
许京军
,
孙军
,
陈绍林
,
张玲
,
孙磊
,
赵迪
,
张万林
,
张光寅
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.06.011
本文研究了不同组分钽酸锂晶体的拉曼散射光谱,我们发现,在谱线的形状和数量方面,近化学计量比晶体与同成分晶体存在明显差异.通过实验,我们得到了钽酸锂晶体完整的长波长光学模式,并首次给出了钽酸锂晶体拉曼线宽和晶体组分的定量关系.另外,我们还发现了两个与本征缺陷相关的局域模,278cm-1和750cm-1峰,它们的强度与晶体中本征缺陷的数量成正比.
关键词:
近化学计量比
,
钽酸锂晶体
,
拉曼光谱
,
缺陷
李树奇
,
刘士国
,
孔勇发
,
阎文博
,
刘宏德
,
邓东灵
,
高光宇
,
李彦波
,
高宏臣
,
许京军
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.03.009
我们在同成份铌酸锂晶体中掺入四价离子铪,生长了掺杂浓度分别为2、4、6mol%的掺铪铌酸锂系列晶体.掺铪浓度达到4mol%时,晶体的抗光损伤能力为5×105W/cm2,比同成份纯铌酸锂晶体提高了4个数量级.应用全息法测得掺4、6mol%铪的铌酸锂晶体最大折射率变化为8.7×10-6,与高掺镁(6.5mol%)铌酸锂晶体的类似.晶体的红外吸收谱和紫外-可见光吸收谱也显示,掺杂浓度为4mol%时具有明显的阈值特征.由此可以确定铪离子在铌酸锂晶体中的阈值浓度约为4mol%.
关键词:
掺铪铌酸锂晶体
,
抗光折变
,
阈值
,
吸收光谱
孔勇发
,
许京军
,
刘宏德
,
王岩
,
阎文博
,
谢翔
,
黄自恒
,
陈绍林
,
张光寅
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.04.026
应用气相传输平衡技术,我们获得了3种近化学计量比掺镁铌酸锂晶体,晶体的掺镁量接近我们以前提出的第二阈值.在我们实验室所能达到的最大光强26 MW/cm2照射下,在所有近化学计量比掺镁铌酸锂晶片中没有观察到光斑畸变,该光强比同成分铌酸锂晶体所能承受的光强高6个量级,为目前已报道的铌酸锂晶体之最.应用双光束全息写入法测得掺1.0 mol% Mg近化学计量比铌酸锂晶体的光折变饱和值仅有4.6×10-7,比同成分铌酸锂晶体小两个量级,从已有实验数据推测,该晶体的抗光折变能力应当比同成分铌酸锂晶体高9个量级以上.
关键词:
铌酸锂
,
近化学计量比
,
光折变
陈晨
,
陈洪建
,
于海群
,
阎文博
,
刘彩池
,
王运满
,
程鹏
人工晶体学报
利用晶体生长模拟软件CGSim,模拟了引晶过程中晶体的直径对晶体生长初期晶体的热流密度和轴、径向温度梯度的影响.结果表明:随着引晶直径的减小,晶体肩部的热流密度减小,轴向及径向温度梯度减小,因而能有效的减小晶体内的热应力,减少晶体位错及小角度晶界缺陷,提高晶体质量,模拟结果得到了实验的验证.
关键词:
蓝宝石单晶
,
引晶直径
,
数值模拟
,
位错
,
小角度晶界
陈洪建
,
张维连
,
阎文博
,
李养贤
人工晶体学报
本文研究了铁铪双掺铌酸锂晶体的光致散射行为,对比了铁铪双掺铌酸锂晶体还原前后的光致散射结果.结果表明:晶体中的锂空位可使晶体暗电导增加并引起光致散射的泵浦光强阈值效应;高泵浦光强下产生的严重光致散射起源于晶体中的较高的三价铁离子浓度.铁铪双掺铌酸锂晶体具有较好的抑制光致散射的能力.
关键词:
铌酸锂
,
光致散射
,
阈值效应
师丽红
,
陈洪建
,
阎文博
人工晶体学报
本文测量了纯铌酸锂和高掺镁铌酸锂晶体的低温红外光谱,观察了OH-吸收峰的温度依赖特性.研究发现纯铌酸锂的OH-振动吸收峰基本不随温度而变化,而高掺镁铌酸锂晶体的OH-振动吸收峰的主峰峰位随温度的降低向高波数方向移动.通过分析两种晶体中不同的缺陷模型以及H+在晶格中的占位,我们提出高掺镁铌酸锂晶体中的H+紧邻高电性杂质缺陷(MgNb)3-分布,直接参与缺陷集团,完全不同于纯铌酸锂晶体中H+的分布情形,这造成了高掺镁铌酸锂晶体中OH-振动吸收峰随温度的变化.而集团内部缺陷之间相互作用随温度降低而增强的趋势是OH-振动吸收峰右移的主要原因.
关键词:
铌酸锂
,
红外吸收光谱
,
杂质缺陷
师丽红
,
阎文博
,
刘建伟
人工晶体学报
本文研究了低光强下锂组分对纯铌酸锂晶体的可见光折变、紫外光致吸收及紫外光折变性能的影响,发现了光折变中心种类和数量随晶体组分的渐变行为.在组分较低的同成分晶体中,大量本征缺陷形成Q极化子,因而在可见光波段表现出较弱的光生伏打效应;在组分较高的近化学计量比铌酸锂晶体中,双极化子是主要光折变中心,从而引起较高的光生伏打电场.而纯铌酸锂晶体的紫外光致吸收以及紫外光折变性能则具有相似的组分依赖关系.它们随组分的增加过程可分为两个不同的阶段:当组分小于49.70 mol%时,随组分增加缓慢升高,而当组分高于49.70 mol%时,随组分突然猛增并迅速升高.上述实验结果也可采用本征缺陷由Q极化子主导向双极化子主导的渐变过程进行解释.
关键词:
铌酸锂
,
全息存储
,
光生伏打
,
光致吸收
