夏明哲
,
李东升
,
杨德仁
,
阙端麟
无机材料学报
以聚苯乙烯(PS)单分散微球为模板, 利用表面化学沉积, 在PS微球表面合成了CdSe纳米晶. 透射电子显微镜(TEM)观察发现, CdSe纳米晶以岛状形貌分布在PS微球表面, X射线衍射(XRD)分
析显示合成CdSe纳米晶具有立方相结构. 通过对产物形貌的演变过程进行观察分析表明, PS球周围的双电层结构对该形貌的形成起决定作用.
关键词:
聚苯乙烯
,
CdSe
,
nanoparticles
,
surface synthesis
胡梦
,
李东升
,
杨德仁
,
阙端麟
材料科学与工程学报
本文利用化学水浴沉积法,在单分散的二氧化硅球表面包覆硫化镉,制备出二氧化硅@硫化镉核壳结构.通过改变反应物质的量以及反应温度等条件,得到了具有不同核壳比的二氧化硅@硫化镉核壳结构.实验发现随着二氧化硅@硫化镉核壳结构中硫化镉晶粒尺寸的减小,其吸收边和光致发光峰都产生了蓝移;这主要是由于随着硫化镉晶粒尺寸的减小,该材料体系的光学特性由体效应向量子尺寸效应的转变造成的.
关键词:
硫化镉
,
二氧化硅
,
核壳结构
徐明生
,
季振国
,
阙端麟
,
汪茫
,
陈红征
材料科学与工程学报
doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2000.03.023
与无机硅太阳能电池相比,有机太阳能电池还面临许多关键性问题.为了改善有机太阳能电池的性能,尤其是转换效率,研究工作一直在进行.这些研究包括掺杂、敏化、使用SPP激发技术、模拟光合作用原理、施主--受主共轭体系以及开发多层结构电池和创造新型光伏打材料.对光伏打理论,部分表征方法,效率损失机制,未来发展模式也给了简要描述.
关键词:
有机太阳能电池
,
转换效率
,
结构
李勇
,
钟尧
,
席珍强
,
杨德仁
,
阙端麟
材料科学与工程学报
doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2006.05.011
利用傅立叶红外光谱仪研究了掺氮直拉单晶硅(NCZ)和普通直拉单晶硅(CZ)的原生氧沉淀以及模拟太阳电池制备热处理工艺下的氧沉淀行为.结果发现,掺氮直拉单晶硅的原生氧沉淀浓度比普通直拉单晶硅的略高,这是因为氮在晶体生长过程中可以促进氧沉淀.但是在模拟太阳电池制备热处理工艺中掺氮直拉单晶硅和普通直拉单晶硅一样,没有氧沉淀产生.这表明在太阳电池的短时间热处理工艺中,氮不会对氧沉淀产生影响,不会影响磷吸杂的效果.
关键词:
直拉单晶硅
,
氮
,
氧沉淀
李金刚
,
杨德仁
,
马向阳
,
阙端麟
材料导报
总结了氢对直拉硅(CZ)单晶中缺陷影响的研究进展,主要介绍了氢促进氧扩散、热施主和氧沉淀生成,以及高温氢气退火促进直拉硅片空洞型缺陷消除的机理,其中氢促进硅中氧的扩散被认为是氢对直拉硅中的缺陷产生影响的主要原因.
关键词:
氢
,
氧扩散
,
热施主
,
氧沉淀
,
空洞型缺陷
阙端麟
,
杨德仁
,
沈德忠
,
洪啸吟
材料导报
我国微电子技术和产业与西方发达国家相比,有明显差距.这主要是由于靠仿制或进口,忽视了创新性和学科交叉研究等原因.但是我国也有一些与微电子有关的研究取得了十分重要的成果,如可用于0.1μm超大规模集成电路的微氮单晶硅研制,可作为193 nm紫外光光源用的非线性光学晶体硼酸铯锂的制备,无显影气相光刻技术等,它们是源头创新性成果.基于这种情况,提出了关于加强微电子关健材料与技术的应用基础研究的投入的建议,上述研究的进一步发展,可开发一条具有自主知识产权的新型深亚微米微电子的技术路线.
关键词:
微电子
,
单晶硅
,
非线性学光晶体
,
光刻
,
超大规模集成电路
赵毅
,
杨德仁
,
周成瑶
,
谢荣国
,
阙端麟
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2003.02.013
多孔硅与有机材料复合可以改善多孔硅的光致发光特性.用化学腐蚀的方法制备了多孔硅, 通过不同方法实现了多孔硅与聚甲基丙烯酸甲酯 (PMMA)的复合.实验结果表明,用旋涂法实现 的 PMMA固化后再与多孔硅复合而制得的样品的结果最好,它与原始的多孔硅样品相比 ,发光峰 发生了蓝移而且发光强度下降很小. PMMA层有限的厚度和 PMMA对多孔硅表面的保护使复合 后发光强度下降很小.制备的多孔 /PMMA复合体系的发光强度几乎不随时间而下降,这可能是 由于 PMMA有效地隔绝多孔硅与空气的接触,保护了多孔硅的表面,不会产生更多的悬挂键.
关键词:
多孔硅
,
PMMA
,
发光特性
杨德仁
,
阙端麟
材料导报
由于经济和技术的发展,深亚微米集成电路要求硅单晶材料向大直径和无(少)缺陷方向发展.综述了深亚微米集成电路用硅单晶材料的研究和发展,指出对于已开始应用的3∞毫米硅单晶而言,磁场拉晶、计算机模拟、线切割、双面抛光等工艺成为大直径硅单晶研制的重要特征;利用晶体生长速率和固液界面的温度梯度的设计,硅单晶中的自间隙硅原子、空位以及相关的微缺陷可以被控制;通过快速热处理,引入和控制空位,进而控制氧沉淀的新型内吸杂技术,可以制备高质量的表面清洁区;利用氮杂质掺杂,可以抑制硅单晶中VOID缺陷和增加硅片的机械强度.最后,还讨论了硅单晶材料的今后的研究方向和趋势.
关键词:
硅
,
集成电路
,
缺陷
陈涛
,
席珍强
,
杨德仁
,
阙端麟
材料热处理学报
doi:10.3969/j.issn.1009-6264.2007.01.002
通过傅立叶红外吸收光谱分析了不同温度和时间下在硅衬底上快速热氧化(RTO)处理后的样品.结果表明,在处理相同的时间下,随着热处理温度的升高,二氧化硅薄膜的非对称伸展振动模式峰强度增强,其峰位发生了偏移.在800℃下制备二氧化硅薄膜的热氧化动力学规律不同于1200℃下的情况.在800℃下,快速热氧化制备的薄膜中含有非化学计量比的氧化硅(SiOx),SiOxDE再氧化使得薄膜的氧化生长速率不断增加,同时也是导致红外吸收光谱中ASM峰位向长波数方向偏移.在1200℃下,快速热氧化制备的薄膜成份是二氧化硅,这种薄膜具有良好的介电性能.
关键词:
快速热氧化(RTO)
,
二氧化硅薄膜
,
傅立叶红外吸收光谱
