李万俊
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孔春阳
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秦国平
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阮海波
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杨天勇
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梁薇薇
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孟祥丹
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赵永红
材料导报
获得高质量稳定的p型ZnO薄膜是实现ZnO基光电器件化的关键.目前,国际上公认V族元素中的N替代O位(No)是实现p型ZnO较理想的掺杂途径.但p-ZnO:N薄膜的导电性能会随着时间、光照、温度条件发生变化,稳定性不足.大量的理论和实验研究表明N基二元共掺( N-X)可以提高N在ZnO薄膜中的固溶度...
关键词:
p型ZnO薄膜
,
N-X共掺
,
稳定性
谌夏
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方亮
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吴芳
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阮海波
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魏文猴
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黄秋柳
材料导报
采用射频磁控溅射技术在石英衬底上制备了掺杂浓度为0.5％(原子分数)的ZnO∶Sn(TZO)薄膜,研究了不同衬底温度下薄膜的结构、形貌、电学和光学的性能.研究发现,TZO薄膜沿着C轴择优生长,在400℃时结晶度最好,最低电阻率为2.619×10-2Ω·cm,在可见光范围内具有较好的透光率.
关键词:
Sn掺杂ZnO薄膜
,
射频磁控溅射
,
光学性质
,
电学性质
