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在对自蔓延高温合成方法制得的AIN晶须形态研究的基础上,采用高分辩电镜等技术,对AIN晶须进行了生长机理研究,结果表明,晶须头部的小液滴显示氮化铝晶须可由VLS机制生成.光滑晶须头部的出现、过饱和度与晶须直径的关系、侧面的二次生长、生长台阶的出现,这些都说明VS机制在起作用.虽然在AIN晶须中发现层错和位错,但经过分析认为,它们都不是氮化铝晶须的生长机制.

关键词: 自蔓延高温合成 , 氮化铝 , 晶须 , 生长机理

钛掺杂有序多孔氧化锆的研究

陈航榕 , 施剑林 , 张文华 , 阮美玲 , 严东生

无机材料学报

利用表面活性剂辅助途径，水热条件下合成了含钛的有序多孔氧化锆．通过ＸＲＤ、Ｎ_２吸附、ＨＲＴＥＭ、ＵＶ－ＶＩＳ吸收光谱、Ｒａｍａｎ光谱等手段对不同按量的钛掺杂多孔氧化锆进行研究．结果表明，＜１５ｍｏｌ％的钛掺杂有利于提高材料的比表面积；钛掺量＜３０ｍｏｌ％时，钛能很好进入氧化锆骨架中，但随着掺量增加，孔道有序性降低．掺量＞３０ｍｏｌ％，多余的钛将以纳米晶ＴｉＯ_２形式析出．

关键词: 钛掺杂 , porous zirconium oxide , amount of doping

石墨化对碳纳米管结构与电学性能的影响

张琳琳 , 许钫钫 , 冯景伟 , 阮美玲

无机材料学报 doi:10.3724/sp.j.1077.2009.00535

在氮气气氛及2700℃温度下，对富含结构缺陷的具有Turbostratic形貌特征的碳纳米管原料进行高温石墨化处理，利用高分辨透射电子显微镜以及自主开发的基于透射电镜的原位性能表征系统对石墨化前后的碳管结构和导电性能进行了研究. 实验结果表明：经过高温石墨化处理后，碳管结构转变为类似于竹节状或管状的锥面结构，锥角为10°~30°，管径为10~40nm. 从锥角数据推算出锥面形成时的旋转位移角中均包含了一个附加的重叠角，说明石墨化后的碳管主要以螺旋的锥面结构为主，且弯曲的螺旋锥面靠∑7、∑13和∑19等重位点阵来稳定. 导电性能测量的结果表明具有螺旋锥面结构的纳米碳管呈半导体特性.

关键词: 碳纳米管 , graphitization , helical cone , conducting property

自蔓延高温合成氮化铝晶须形态和生长机理研究(1)

江国健 , 庄汉锐 , 王本民 , 张炯 , 阮美玲

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.1999.04.015

采用自蔓延高温合成技术(SHS),在高压氮气中成功地合成了氮化铝晶须,并对它的显微结构进行了研究.研究结果表明,由于制备时的生长条件极不稳定,出现不同形态的晶须形貌,除了细长均匀的氮化铝晶须外,还出现了各种其它不规则形状的产物.过饱和度的不同,产生了枝蔓晶结构.按照VS生长方式,在均衡生长条件下,生长为本征结构的氮化铝晶须.晶须顶端的杂质小液滴,为VLS生长方式创造了条件.通过光学显微镜观察,合成出的氮化铝晶须是透明的.

关键词: 自蔓延高温合成 , 氮化铝 , 晶须 , 生长机理

钛掺杂对介孔硅材料结构性能的影响

王连洲 , 施剑林 , 禹剑 , 阮美玲 , 严东生

无机材料学报

在室温碱性条件下合成了Ti掺杂的介孔硅材料MCM－41，借助XID、IR、HREM和N₂吸附等分析手段，探讨了Ti掺杂量对介孔材料结构和性能的影响．结果表明：掺杂的Ti离子可以进入Si骨架，并生成Si－O－Ti键．随着Ti掺杂量的增加，六方规则排列的介孔硅结构有序度下降，最终可导致结构一致性的破坏．

关键词: 介孔硅材料 , Ti-doped , mesopore structure

低表面活性剂/硅比率中有序介孔材料的合成

禹剑 , 王连洲 , 施剑林 , 阮美玲 , 严东生

无机材料学报

以ＡｌＣｌ_３．６Ｈ_２Ｏ为铝源，在低表面活性剂／硅摩尔比（０．１２）的体系中，合成Ｓｉ／Ａｌ比在１６～６４范围内变化的有序介孔硅酸铝材料．用ＸＲＤ、ＴＥＭ、ＦＴＩＲ及氮吸附等测试手段对材料进行了分析．当ＮａＯＨ／Ｓｉ比从０．２增加到０．６时，获得的有序介孔材料结构将由六角相（ＭＣＭ－４１）变成立方相（ＭＣＭ－４８）当材料中铝含量超过一定值时，有序介孔材料品质下降．ＸＲＤ分析表明，用铝原子取代硅原子将导致晶格增大．

关键词: 介孔 , aluminosilicate , charaterization

Y-α-β Sialon复相陶瓷的显微结构和蠕变行为

林明通 , 蒋丹宇 , 汪霖 , 阮美玲 , 施剑林

无机材料学报

研究了一种以ＹＡＧ为晶界相和理论初始α／β比率为６５／３５的Ｙ－α－β复相ｓｉａｌｏｎ在温度１２５０～１３５０℃和应力１１０～２９０ＭＰａ的四点弯曲蠕变行为，得出在１２５０、１３００、１３５０℃下的应力指数分别为１．３１、１．４９、１．６２，蠕变激活能为６７７ｋＪ.ｍｏｌ^-1，显微结构观察表明几乎所有的空洞都位于多晶界，从而推断伴随着多晶界空洞形成的扩散－滑移耦联机制是蠕变的速率控制机制．Ｍｏｎｋｍａｎ－Ｇｒａｎｔ关系式得出的蠕变速率指数p值为１.６，蠕变断裂是由多三晶界空洞的成核、生长、聚结和连接引起的．

关键词: 复相sialon , creep , microstructure , oxidation , phase transformation

氮化硅粉体的水基流延研究

张景贤 , 江东亮 , 谭寿洪 , 归林华 , 阮美玲

材料科学与工程学报 doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2000.z1.055

本文采用国产的α-氮化硅粉(d50=1μm),测定了粉体的zeta电位.根据粉体的表面性质,选用聚丙烯酸钠作为分散剂,分析了pH值、分散剂对氮化硅粉体zeta电位以及浆料粘度的影响,确定了良好分散的Si3N4浆料的pH值和分散剂含量分别为10和1wt%.选用PVA为粘结剂,PEG为塑性剂,二者在浆料中的含量分别为5wt%和2.5wt%.最后,制备了氮化硅水基流延膜,并用SEM对得到的流延膜进行了表征.

关键词: zeta , 电位 , 分散剂 , 浆料 , 流延膜

一种热压β-sialon的蠕变和蠕变恢复行为

林明通 , 蒋丹宇 , 汪霖 , 阮美玲 , 施剑林

材料研究学报 doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2002.01.008

研究了一种以Sm-黄长石固溶体(M＇)为晶界相的β-sialon在温度为1300 ℃、应力为110～270MPa条件下的四点弯曲蠕变行为.应力指数为1.2,蠕变后试样的显微结构观察表明在晶界点出现蠕变空洞.由此推测扩散调节的晶界滑移是主导蠕变机制在1300 ℃/200MPa下的蠕变恢复行为归因于残余晶界玻璃相的粘弹性松弛

关键词: β-sialon , 蠕变 , 蠕变恢复

钛掺杂对介孔硅材料结构性能的影响

王连洲 , 施剑林 , 禹剑 , 阮美玲 , 严东生

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.1999.01.008

在室温碱性条件下合成了Ti掺杂的介孔硅材料MCM-41,借助XRD、IR、HREM和N2吸附等分析手段, 探讨了Ti掺杂量对介孔材料结构和性能的影响. 结果表明: 掺杂的Ti离子可以进入Si骨架,并生成Si-O-Ti键. 随着Ti掺杂量的增加,六方规则排列的介孔硅结构有序度下降,最终可导致结构一致性的破坏.

关键词: 介孔硅材料 , Ti掺杂 , 介孔结构

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自蔓延高温合成氮化铝晶须形态和生长机理研究(2)

钛掺杂有序多孔氧化锆的研究

石墨化对碳纳米管结构与电学性能的影响

自蔓延高温合成氮化铝晶须形态和生长机理研究(1)

钛掺杂对介孔硅材料结构性能的影响

低表面活性剂/硅比率中有序介孔材料的合成

Y-α-β Sialon复相陶瓷的显微结构和蠕变行为

氮化硅粉体的水基流延研究

一种热压β-sialon的蠕变和蠕变恢复行为

钛掺杂对介孔硅材料结构性能的影响

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