江国健
,
庄汉锐
,
王本民
,
张炯
,
阮美玲
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.1999.04.016
在对自蔓延高温合成方法制得的AIN晶须形态研究的基础上,采用高分辩电镜等技术,对AIN晶须进行了生长机理研究,结果表明,晶须头部的小液滴显示氮化铝晶须可由VLS机制生成.光滑晶须头部的出现、过饱和度与晶须直径的关系、侧面的二次生长、生长台阶的出现,这些都说明VS机制在起作用.虽然在AIN晶须中发现层...
关键词:
自蔓延高温合成
,
氮化铝
,
晶须
,
生长机理
江国健
,
庄汉锐
,
王本民
,
张炯
,
阮美玲
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.1999.04.015
采用自蔓延高温合成技术(SHS),在高压氮气中成功地合成了氮化铝晶须,并对它的显微结构进行了研究.研究结果表明,由于制备时的生长条件极不稳定,出现不同形态的晶须形貌,除了细长均匀的氮化铝晶须外,还出现了各种其它不规则形状的产物.过饱和度的不同,产生了枝蔓晶结构.按照VS生长方式,在均衡生长条件下,生...
关键词:
自蔓延高温合成
,
氮化铝
,
晶须
,
生长机理
张景贤
,
江东亮
,
谭寿洪
,
归林华
,
阮美玲
材料科学与工程学报
doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2000.z1.055
本文采用国产的α-氮化硅粉(d50=1μm),测定了粉体的zeta电位.根据粉体的表面性质,选用聚丙烯酸钠作为分散剂,分析了pH值、分散剂对氮化硅粉体zeta电位以及浆料粘度的影响,确定了良好分散的Si3N4浆料的pH值和分散剂含量分别为10和1wt%.选用PVA为粘结剂,PEG为塑性剂,二者在浆料...
关键词:
zeta
,
电位
,
分散剂
,
浆料
,
流延膜
王连洲
,
施剑林
,
禹剑
,
阮美玲
,
严东生
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.1999.01.008
在室温碱性条件下合成了Ti掺杂的介孔硅材料MCM-41,借助XRD、IR、HREM和N2吸附等分析手段, 探讨了Ti掺杂量对介孔材料结构和性能的影响. 结果表明: 掺杂的Ti离子可以进入Si骨架,并生成Si-O-Ti键. 随着Ti掺杂量的增加,六方规则排列的介孔硅结构有序度下降,最终可导致结构一致性...
关键词:
介孔硅材料
,
Ti掺杂
,
介孔结构
