陆剑峰
,
张忠卫
,
池卫英
,
王亮兴
,
陈鸣波
,
彭冬生
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2004.03.016
报道了对GaAs/Ge太阳电池器件工艺的研究结果.采用细栅厚电极正胶剥离技术制备细栅厚电极,栅线宽度小于15 μm,厚度在5 μm以上;采用NH4OH/H2O2选择性腐蚀液体系去除GaAs帽子层; 采用真空蒸发制备TiO2/SiO2双层减反射膜,电流密度增益可达25%以上;研制出平均效率达到19%(AM0,1 s,25 ℃)以上的GaAs/Ge太阳电池.
关键词:
太阳电池
,
GaAs/Ge
,
器件工艺
王亮兴
,
张忠卫
,
池卫英
,
陆剑峰
,
陈鸣波
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2004.03.015
采用低压金属有机物化学气相沉积(MOVPE)工艺,分别在p型和n型Ge衬底上生长了GaAs电池,发现Ge甚至可以扩散到GaAs电池结区,导致电池性能严重下降,而Ga和As的扩散,常常导致异常Ⅳ曲线; 在GaAs外延层观察到的主要晶体缺陷是反相畴和线位错,通过降低生长温度和优化成核条件,获得了较好的界面特性,在n-Ge衬底上获得了效率为20.2% (AM0,25 ℃,2 cm×4 cm)的GaAs电池,在p-Ge衬底上获得了性能较好的Ge电池.
关键词:
太阳电池
,
GaAs/Ge
,
界面
