刘石勇
,
李旺
,
牛新伟
,
杨德仁
,
王仕鹏
,
黄海燕
,
陆川
人工晶体学报
采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术在1.1 m×1.3m的大面积玻璃衬底上制备非晶硅锗(a-SiGe)薄膜和太阳能电池.系统研究了锗烷流量比(RGe)、氢气流量比(RH)、沉积功率和压强对a-SiGe薄膜光学带隙以及沉积速率的影响;分析了具有不同RGe的本征层对a-SiGe单结电池的影响;通过调节沉积参数制备出具有合适本征层带隙的高质量a-SiGe单结电池,实现在800 nm波长处的量子效率达到18.9％,同时填充因子(FF)也达到0.62.
关键词:
非晶硅锗
,
光学带隙
,
太阳能电池
李旺
,
刘石勇
,
刘路
,
王仕鹏
,
黄海燕
,
牛新伟
,
陆川
人工晶体学报
利用传统硅薄膜太阳能电池生产设备、以硬质玻璃为载板,在低透光率的聚酰亚胺(PI)衬底上制备了n-i-p结构的单结非晶硅(a-Si)薄膜太阳能电池组件,并通过掩膜绝缘和激光划分绝缘组合的方式在同一块PI衬底上实现了多节电池串联一体的结构.封装后电池组件的有效发电面积的转化效率达到5.13％,电池的转化效率还存在较大的提升空间.
关键词:
聚酰亚胺
,
n-i-p结构
,
激光划分绝缘
,
掩盖分割
,
非晶硅薄膜
,
太阳能电池
