王震遐
,
余礼平
,
张伟
,
孙立涛
,
韩家广
,
朱志远
,
何国伟
,
陈一
,
胡岗
原子核物理评论
doi:10.3969/j.issn.1007-4627.2005.01.015
用C+离子束轰击多壁碳纳米管后, 发现了大量的由无定形碳纳米线组成的连接结构.这种用高分辨透射电子显微镜和电子衍射分析确认的离子束焊接方法, 不但可以作为准备纳米电子(光子)学器件和线路的手段, 结合微操纵技术, 也有可能对其它系统器件排布的制作有所贡献.
关键词:
离子束
,
多壁碳纳米管
,
无定形碳纳米线
,
纳米焊接
闵靖
,
邹子英
,
李积和
,
周子美
,
陈青松
,
陈一
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2001.05.006
用 SEM、TEM 和光学显微镜研究了硅片背面的机械损伤(包括软损伤)和多晶硅的晶格结构,以及热处理过程中晶格结构和缺陷的演化,探索了吸杂的机理.实验结果表明,用本技术能减少S坑密度,提高硅片产生寿命,对金、铜等金属杂质有吸杂的效果.
关键词:
机械损伤
,
软损伤
,
氧化诱生层错
,
S坑缺陷
,
外吸除
,
内吸除
闵靖
,
邹子英
,
李积和
,
陈青松
,
周子美
,
陈一
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2001.04.016
在器件的高温工艺过程中多晶硅再结晶,晶粒不断地长大,多晶硅层厚因高温氧化而减薄直到完全耗尽.在多晶硅层完全去除后在硅衬底中诱生出高密度的氧化层错起吸除中心作用.多晶硅能促进硅片内的氧沉淀成核和生长,起内吸杂作用.本文提出了多晶硅持续吸杂的机理.
关键词:
多晶硅吸杂
,
内吸杂
,
增强吸杂
,
氧沉淀
,
氧化层错
,
洁净层
陈一
,
罗礼发
,
曾广胜
,
刘文勇
复合材料学报
doi:10.13801/j.cnki.fhclxb.20150518.001
为了制备具有优异强度与韧性的聚乳酸(PLA)复合材料,首先,将八聚(丙基缩水甘油醚)倍半硅氧烷(Ope-POSS)纳米粒子引入PLA中,并加入PLA接枝甲基丙烯酸缩水甘油酯(PLA g GMA)作为增容增韧组分;然后,通过熔融共混法制备了PLA-g-GMA/Ope POSS/PLA复合材料;最后,通...
关键词:
聚乳酸
,
聚乳酸接枝甲基丙烯酸缩水甘油酯
,
八聚(丙基缩水甘油醚)倍半硅氧烷
,
力学性能
,
热性能
