许林海
,
陈小刚
,
宋志棠
,
陈一峰
,
丁晟
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2012.04.012
基于研制成功的国内第一款8M - bits相变存储器(8Mb PCM)试验芯片,设计了一套音频存储播放系统.该系统主要由8Mb PCM芯片,现场可编程门阵列(FPGA),音频输入输出电路以及音频转换电路模块(AD73311芯片)等部分构成.系统以FPGA为核心处理单元,录音时将音频输入信号进行模/数(A/D)转换并存储到8Mb PCM中,播放时将8Mb PCM中存储的信息读出并通过数/模(D/A)转换成音频信号输出.板上验证结果表明:该系统的音频存储播放效果良好,可对8Mb PCM进行多次正确的读写操作.由此证实了8Mb PCM性能的完整性以及可靠性,为相变存储器后续的商业化应用打下坚实的基础.
关键词:
相变存储器
,
音频存储播放系统
,
AD73311
,
FPGA
,
Verilog硬件描述语言
陈一峰
,
刘兴钊
,
邓新武
材料导报
采用化学气相沉积方法,以Ni薄膜为催化剂,CH4、SiH4为反应气体,H2为载气,成功地在Si基片上生长出β-SiC晶须.运用X射线衍射和扫描电子显微镜系统地研究了不同催化剂厚度对SiC晶须形貌、结构和化学成分的影响.
关键词:
SiC
,
化学气相沉积
,
晶须
陈一峰
,
刘兴钊
,
邓新武
材料导报
碳化硅(SiC)是第三代宽禁带半导体材料,在高温、高频、高功率、光电子及抗辐射等方面具有巨大的应用潜力.以CH4、SiH4为反应气体,H2为载气,采用化学气相沉积法,利用气-液-固(VLS)生长机理,同质外延6H-SiC薄膜.结果表明,VLS机制能在外延薄膜的表面有效地封闭微管,但是由于n(C)/n(Si)较大,薄膜表面存在大量的台阶.为了进一步改善薄膜表面形貌,采用"两步法"工艺外延SiC薄膜,在封闭微管的同时提高了表面平整度,得到了质量较好的6H-SiC外延薄膜.
关键词:
6H-SiC
,
同质外延
,
气-液-固生长机理
