陈乙豪
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蒋冰
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马蕾
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李钗
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彭英才
人工晶体学报
采用射频等离子体增强型化学气相沉积(RF-PECVD)技术,以H2和SiH4作为反应气体源,在不同的衬底温度下沉积了nc-Si∶H薄膜.采用Raman散射、X射线衍射、红外吸收等技术分析了薄膜的微结构和氢键合特征.结果表明,随衬底温度的升高,nc-Si∶H薄膜的沉积速率不断增大,晶化率和晶粒尺寸增加,纳米硅颗粒呈现出Si(111)晶面的择优生长趋势.键合特性显示,薄膜中的氢含量随衬底温度升高而逐渐减小,薄膜均匀性先增大后减小.
关键词:
nc-Si∶H薄膜
,
射频等离子体增强型化学气相沉积
,
衬底温度
,
氢键合
蒋冰
,
丁宁
,
陈乙豪
,
马蕾
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2016.10.028
采用射频等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术,以SiH4、CH4和 H2为反应气体,在单晶硅和石英衬底上制备a-Si∶H/a-SiC∶H 多层薄膜。利用透射电子显微镜(TEM)对样品的微结构进行了表征,同时对其电子输运性质和光吸收特性进行了实验研究。结果表明,本实验条件下制备的多层薄膜样品为非晶态多层薄膜结构,并且样品具有良好的周期性结构和陡峭的界面特性。室温条件下,样品在垂直方向上呈现出多势垒顺序共振隧穿特性。由于量子限制效应,当a-Si∶H 势阱层厚度＜8 nm,随着势阱层厚度减小,样品的光学带隙增大,光吸收系数减小。
关键词:
PECVD
,
多层薄膜
,
微结构特征
,
电子输运性质
,
光吸收特性
