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太阳能级多晶硅标准的现状及发展

靳瑞敏 , 郭新峰 , 陈兰莉 , 罗鹏辉 , 郑小燕

材料导报

回顾了太阳能级多晶硅标准这一问题的由来,分析了制定太阳能级多晶硅标准中的有关杂质含量的争论,对太阳能级多晶硅标准提出了一些看法和思考:应加快以物理法多晶硅为原料制作太阳能电池技术问题的研究;解决太阳能电池的衰减、生产工艺改进及物理法多晶硅性能的稳定性问题;多晶硅标准最终应该是一个不区分生产方法的、以主要杂质含量为指标的标准.

关键词: 太阳能级多晶硅 , 标准 , 杂质含量

退火温度和时间对制备多晶硅薄膜的影响

靳瑞敏 , 王玉仓 , 陈兰莉 , 罗鹏辉 , 郭新峰 , 卢景霄

材料导报

通过PECVD法于不同温度直接沉积非晶硅(a-Si:H)薄膜,选择于850℃分别退火2h、3h、6h、8h.于700℃分别退火5h、7h、10h、13h,于900℃分别退火1h、3h、8h,分别于720℃、790℃、840℃、900℃、940℃退火1h,然后用拉曼光谱和SEM进行对比分析,发现退火温度与退火时间的影响是相互关联的,并且出现一系列晶化效果好的极值点.

关键词: PECVD法 , 非晶硅薄膜 , 多晶硅薄膜 , 二次晶化 , 拉曼光谱 , 扫描电镜

在不同时间下退火对非晶硅薄膜晶化的影响

靳瑞敏 , 陈兰莉 , 罗鹏辉 , 郭新峰 , 卢景霄

材料导报

用玻璃作衬底在不同温度下用PECVD法直接沉积非晶硅(a-Si∶H)薄膜,在400℃和500℃分别光退火5min、10min、20min、30min、40min、60min、120min,用拉曼光谱分析前后样品,发现随着晶化时间的延长晶化效果越好,500℃退火的薄膜比400℃的晶化效果好.

关键词: PECVD法 , 非晶硅薄膜 , 光退火晶化 , 拉曼光谱

光退火制备多晶硅薄膜的量子态现象

靳瑞敏 , 罗鹏辉 , 陈兰莉 , 郭新峰 , 卢景霄

人工晶体学报

用PECVD法直接沉积的非晶硅(a-Si:H)薄膜在中温情况下光退火,然后用XRD、Raman光谱和SEM分析,发现晶粒大小随退火温度和退火时间呈现量子态现象.平均晶粒大小为30nm左右.

关键词: PECVD法 , 非晶硅薄膜 , 光退火 , 量子态 , 晶粒大小

含偶氮苯弯曲液晶的光化学性质研究

陈兰莉 , 张丹

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2011.05.018

研究了紫外光照和温度对偶氮弯曲液晶极化电流的影响.在365 nm紫外光照下,这种偶氮化合物的极化强度随紫外光照时间增加而变化直至为零；当温度从150℃升高到175 ℃时,弯曲液晶的极化电流随温度线性降低,用Landau-de Gennes理论解释了这一现象.其极化情况随紫外光照和温度而变化的实验规律表明:在紫外光照下偶氮弯曲液晶发生了光致异构化、光裂解和热裂解作用.

关键词: 材料 , 弯曲液晶 , 光照 , 自发极化

香蕉型液晶的电子结构计算和电激发特性

陈兰莉 , 汤中科

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2009.04.002

用舒克紧束缚法计算了一种新型香蕉型液晶1,3-phenylene bis [4-(4′-nonyloxy) phenyliminomethyl] benzoate 的电子结构,结果表明: LUMO和HOMO的能量差别主要是受到香蕉型液晶的中心核、桥键(-COO-)的影响,而烷基尾对香蕉型液晶电子结构的影响不大;在6种可能跃迁中,只有能量最低的两种(π→π*, n→π*)在200~800 nm可见光范围内是经常发生的.对于这种香蕉型液晶,电子激发主要发生在4.0 eV (310 nm)和 1.7 eV (730 nm)处.

关键词: 香蕉型液晶 , 电子结构 , 电子跃迁 , 光学吸收

紫外光照下偶氮香蕉型液晶的光吸收特性研究

陈兰莉 , 石明吉 , 于家辉

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2013.05.002

借助紫外可见光谱仪观测和电子结构计算,研究了紫外光照对偶氮香蕉型液晶电子结构和光吸收特性的影响.吸收光谱显示:这种液晶的两个光学吸收峰分别位于360 nm和275 nm.电子结构计算表明:这两个光学吸收主要来自于液晶中含偶氮官能团的电子跃迁:π→π*和π→σ*.结果表明:365 nm光子可将液晶中的氮氮双键打断,从而导致其在360 nm处的吸收迅速降低,同时使275 nm处的吸收相应增加.

关键词: 液晶 , 偶氮化合物 , 光照 , 光致离解

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