薛雅
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叶志镇
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陈凌翔
,
叶春丽
材料科学与工程学报
采用脉冲激光沉积(PLD)方法在石英衬底上制备p型Na掺杂ZnMgO薄膜,薄膜在氮气气氛中600℃退火60 s,具有较好的光电性能.在室温下分别用波长254nm的紫外光和波长630nm的红色激光对样品进行了光电导性能测试.两种光照下,光电流均瞬间上升,且光响应度与外加偏压具有线性相关性.紫外光照下p型Na掺杂ZnMgO薄膜的光电流变化比红色激光照射下要显著.
关键词:
Na掺杂
,
p型ZnMgO
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光电导
陈永
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王峰
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李德辉
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陈凌翔
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吕建国
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叶志镇
功能材料
利用热蒸发方法,在硅衬底上制备出立方MgZnO纳米线。以Mg粉为源材料,所制备的为立方相MgO纳米线。以Mg粉和Zn粉混合物为源材料,可以制备出立方相MgZnO纳米线,Zn含量7%,直径200～300nm,具有单晶结构;同时产物中还包括六方相ZnO纳米线,直径30nm左右。MgZnO纳米线中Zn含量远低于源材料中的Zn含量,这可能是ZnO和Zn的蒸汽压远大于MgO和Mg的缘故。
关键词:
立方相MgZnO
,
纳米线
,
热蒸发
李霞
,
陈凌翔
,
吕建国
,
叶志镇
材料科学与工程学报
采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备了ZnO∶Ga透明导电薄膜(GZO).通过X射线衍射(XRD)、四探针电导率测试、紫外可见分光光度等表征方法研究了溅射功率对薄膜结晶特性及光电性能的影响.结果表明:当溅射功率180W时制备的GZO薄膜光电性能最优,方块电阻为9.8Ω/sq,电阻率为8.6×10-4Ω·cm,霍尔迁移率为12.5 cm2/V·s,载流子浓度为5.8×1020 cm-3,可见光透过率超过92％.另外,研究了最优制备条件下的GZO薄膜的高温稳定性,在氩气、氧气和真空气氛下分别对薄膜进行退火处理.结果表明,氩气退火的薄膜电学性能显著提高,是显著改善GZO薄膜性能的有效方法之一;氧气退火不利于薄膜的导电性;真空退火介于两者之间.
关键词:
ZnO∶Ga
,
磁控溅射
,
电学性能
,
功率
,
退火
闫伟超
,
孙汝杰
,
陈凌翔
,
吕建国
,
叶志镇
材料科学与工程学报
doi:10.14136/j.cnki.issn 1673-2812.2015.06.008
采用射频磁控溅射技术,成功制备出能用作薄膜晶体管(TFT)沟道层的非晶态Nb-Zn-Sn-O(NZTO)薄膜.研究了溅射压强、退火处理对NZTO薄膜的材料结构、电学和光学性能的影响,并在溅射功率为120W、溅射压强为0.6Pa且在400℃温度下退火2h后,制备出了电子迁移率达5.5cm2v-1 s-1、载流子浓度在1017以下且可见光透射率为80％以上的薄膜.
关键词:
磁控溅射
,
非晶态
,
薄膜
,
退火
郑展
,
陈凌翔
,
叶志镇
材料科学与工程学报
利用激光脉冲沉积法(PLD)制备了Na掺杂ZnO∶ Nax薄膜(0≤x≤0.1),并较全面地研究了Na含量对ZnO∶ Nax薄膜结晶质量和光电性能的影响.研究结果表明Na含量低于5％时,ZnO∶ Nax薄膜能够保持良好的c轴择优取向生长.随着Na含量的增加,薄膜由本征n型转变为p型.并且当Na含量为2％时,获得p型性能良好的薄膜:电阻率为53.5Ωcm,迁移率为0.55cm2V-1 s-1,空穴浓度为2.1×1017cm-3.结合XPS测试结果,我们认为p型转变是因为Na掺杂在ZnO中主要形成受主态NaZn.PL测试表明ZnO∶ Na0.02薄膜在377nm处具有良好的室温紫外带边发射.
关键词:
Na掺杂
,
p型
,
紫外带边发射
,
受主态NaZn
