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不同退火温度下金属/4H-SiC Schottky势垒高度的研究

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2005.02.024

采用磁控溅射的方法在4H-SiC样品上分别沉积四种金属薄膜(Ag,Cu,Ni,Cr)形成Schottky接触,研究了不同温度退火对Schottky势垒高度的影响.通过对样品的I-V测试结果的拟合,得到各金属/4H-SiC Schottky接触的势垒高度以及理想因子.在反向偏压100V下,样品的反向漏...

关键词: 光电子学 , 4H-SiC , Schottky势垒高度 , 退火

4H-SiC雪崩光电探测器中倍增层参数的优化模拟

钟林瑛 , 洪荣墩 , 林伯金 , 蔡加法 , 陈厦平 , 吴正云

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2011.06.017

应用ATLAS模拟软件,设计了吸收层与倍增层分离的(SAM)4H-SiC雪崩光电探测器(APD)结构.分析了不同外延层厚度和掺杂浓度对器件光谱响应的影响,对倍增层参数进行优化模拟,得出倍增层的最优化厚度为0.26 μm,掺杂浓度为9.0×1017 cm-3.模拟分析了该APD的反向IV特性、光增益、...

关键词: 光电子学 , 4H-SiC , APD , 光谱响应 , 探测率

4H-SiC紫外光电探测器光电特性随温度变化的研究

郑云哲 , 林冰金 , 张明昆 , 蔡加法 , 陈厦平 , 吴正云

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2011.06.016

利用光电流谱法研究了300 K到60 K温度范围内的p-i-n结构4H-SiC紫外光电探测器的暗电流及相对光谱响应特性.研究发现随着温度的降低,探测器的暗电流和相对光谱响应都逐渐减小；而且,反向偏压越高,暗电流减小的速率越大.在零偏压下,随着温度的降低,器件的相对光谱响应的峰值波长先向短波方向移动,...

关键词: 光电子学 , 4H-SiC , p-i-n紫外光电探测器 , 温度特性 , 光电特性

KrF脉冲激光退火制备锐钛矿TiO2薄膜

张自锋 , 张志威 , 洪荣墩 , 陈厦平 , 吴正云

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2015.06.006

在常温下,用射频磁控溅射在石英衬底上沉积厚度约为200 nm的TiO2薄膜,使用波长为248 nm的KrF脉冲激光器,在不同功率密度下对薄膜样品进行辐照退火处理,并采用X射线衍射(XRD)、拉曼(Raman)、X射线电子能谱(XPS)、原子力显微镜(AFM)、扫描电子显微镜(SEM)、高分辨率扫描隧...

关键词: 激光技术 , KrF脉冲激光 , 薄膜 , TiO2 , 光学特性

4H-SiC p-i-n紫外光电探测器的电容-电压特性研究

蔡加法 , 陈厦平 , 吴少雄 , 吴正云

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2016.06.018

分析并比较了4H-SiC p-i-n紫外光电探测器的电容-电压(C-V)特性随温度和偏置电压的变化情况,观测到4H-SiC p-i-n结构中的深能级缺陷.结果表明:由于近零偏压时探测器i型层已处于耗尽状态,其高频(1 MHz) C-V特性几乎不随反向偏压变化.随着温度升高,被热离化的自由载流子数量增...

关键词: 光电子学 , 4H-SiC , p-i-n紫外光电探测器 , 电容-电压 , 深能级缺陷

含氢DLC膜的疏水性研究

魏晓丽 , 张玲 , 陈厦平 , 王辅明

表面技术 doi:10.16490/j.cnki.issn.1001-3660.2016.05.024

目的：通过疏水性质的研究，证明源电极式和浸入式 PECVD 方法制备含氢 DLC 膜存在结构和性质上的差别，并且证明浸入式PECVD方法制备的含氢DLC膜更适于需要强疏水性的表面改性应用。方法在PECVD腔体中通入甲烷和氢气混合气体，同时在面对源电极的绝缘样品架上放置石英基片并沉积类聚合物DLC膜；...

关键词: 类金刚石 , PECVD , 含氢 , 掺氟 , 带隙 , 接触角 , 疏水性

用于4H-SiC雪崩光电探测器p型欧姆接触的研究

朱会丽 , 陈厦平 , 吴正云

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2007.06.016

对4H-SiC雪崩光电探测器的Ti/Al/Au p型欧姆接触进行了详细的研究.通过线性传输线模型(LTLM)测得经930℃退火后欧姆接触的最小比接触电阻为5.4×10-4Ωcm2.分别用扫描电子显微镜(SEM)、俄歇电子能谱(AES)、X射线光电子能谱(XPS)和X射线衍射谱(XRD)对退火前后的表...

关键词: 光电子学 , 4H-SiC , p型欧姆接触 , X射线光电子能谱 , 雪崩光电探测器

4H-SiC表面热氧化生长SiOx薄膜特性的研究

陈厦平 , 朱会丽 , 蔡加法

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2010.04.016

采用扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)和X射线光电子能谱(XPS)测试方法对4H-SiC上热氧化生长的氧化硅(SiOx)薄膜表面形貌进行观测,并分析研究SiOx薄膜和SiOx/4H-SiC界面的相关性质,包括拟合Si2p、O1s和C1s的XPS谱线和分析其相应的结合能,以及分析SiOx...

关键词: 材料 , SiOx薄膜 , 热氧化 , X射线光电子能谱 , 4H-SiC

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不同退火温度下金属/4H-SiC Schottky势垒高度的研究

4H-SiC雪崩光电探测器中倍增层参数的优化模拟

4H-SiC紫外光电探测器光电特性随温度变化的研究

KrF脉冲激光退火制备锐钛矿TiO2薄膜

4H-SiC p-i-n紫外光电探测器的电容-电压特性研究

含氢DLC膜的疏水性研究

用于4H-SiC雪崩光电探测器p型欧姆接触的研究

4H-SiC表面热氧化生长SiOx薄膜特性的研究

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