陈坚邦
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2000.03.011
综述世界GaAs材料器件的产销情况、市场前景及GaAs材料的发展趋势. 预测2000年GaAs IC用于通讯将占GaAs IC市场的71%, 并以年均增长率15%的速度发展. 发光器件1999年增长12%, 其中激光器件增幅最大, 达16%. GaAs材料电子器件和光电器件的比例约为2∶3. 对大直径 (Φ76 mm以上)、低位错、低热应力、高质量的GaAs单晶有较大的需求量. VB、 VGF和VCZ是满足这些要求的最佳GaAs单晶生长方法.
关键词:
砷化镓材料
,
器件
,
市场
黎建明
,
屠海令
,
郑安生
,
陈坚邦
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2003.02.018
用透射电子显微镜、扫描电镜对锑化镓材料切、磨、抛等加工工艺引入的表面损伤进行观察和检测. 结果表明: 切割加工是锑化镓单晶晶片表面损伤层引入的主要工序;锑化镓单晶切割片表面极不平整,有金刚砂所引起的较粗桔皮皱纹;其表面损伤层深度≤30 μm;双面研磨的锑化镓晶片表面仍有较粗桔皮皱纹,但比切割片的要细,而且桔皮皱纹的深浅随磨砂(Al2O3)粒径的减小而变细变浅;晶片的表面损伤层深度(≤5 μm)也随着磨砂粒径的减小而减小. 一般情况下,其损伤层的深度约为磨砂粒径的1/2. 机械化学抛光加工的锑化镓晶片表面的SEM像观察不到桔皮皱纹;其损伤层深度约55 nm.
关键词:
锑化镓
,
切片
,
磨片
,
抛光
,
损伤层
董国全
,
万群
,
陈坚邦
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.1998.04.018
本文以卢瑟福离子背散射技术 (RBS) 检测了半绝缘GaAs (100) 化学机械抛光表面的微损伤状况,并以α台阶仪测量了抛光表面的粗糙度.研究了以胶体SiO2和NaOCl溶液的混合液对GaAs进行化学机械抛光方法中主要工艺条件对表面质量的影响.把RBS法同X射线双晶衍射法对表面损伤的测量结果进行了比较,二者对应得很好.通过逐层腐蚀与RBS相结合测定了抛光过程造成的损伤层的厚度,发现如果抛光条件不适宜,获得的晶片表面尽管目视光洁度很好,也还有一定厚度的损伤层. RBS法测得好的非掺半绝缘GaAs (100) (由LEC法生长) 抛光表面散射粒子最低产额低达3.1%,这样的晶片用腐蚀法未发现有损伤层.
关键词:
抛光
,
砷化镓晶片表面
,
表面损伤
,
卢瑟福背散射
