戴永胜
,
陈堂胜
,
杨立杰
,
李辉
,
俞土法
,
陈新宇
,
郝西平
,
陈效建
,
林金庭
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.03.002
介绍了一种新颖的在5～20GHz频率范围的共享一个兰格耦合器的22.5°和11.25°MMIC多倍频程移相器的设计、制造和性能.选择了工艺变化对电路性能最小的电路拓扑.在5～20GHz频率范围内,以展示出低的峰值相移误差(≤2°);低的输入/输出驻波(≤1.5)和低插入损耗及起伏(≤(2.6±0.4)dB).芯片尺寸为:4.2mm×0.46mm×0.1mm.
关键词:
微波毫米波单片集成电路
,
开关金属半导体场效应晶体管
,
兰格耦合器
,
多倍频程
,
反射型移相器
戴永胜
,
陈堂胜
,
扬立杰
,
俞土法
,
李辉
,
陈新宇
,
郝西平
,
陈效建
,
林金庭
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.03.003
介绍了一种没有驱动器可兼容多极性控制信号的90°MMIC多倍频程数字/模拟兼容移相器的设计、制造和性能.获得了高性能(在5～20GHz频率范围内,低的峰值相移误差≤(90±5)°;低的输入/输出驻波≤1.5和低插入损耗及起伏≤(3.0±0.5)dB)和小芯片尺寸(4.2mm×0.6mm×0.1mm).
关键词:
微波毫米波单片集成电路数字/模拟移相器
,
多倍频程
,
可兼容多极性控制信号
周慧梅
,
沈波
,
陈敦军
,
陈堂胜
,
焦刚
,
郑有炓
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2004.03.010
研究并对比了Ti/Al/Ni/Au和Ti/Al/Pt/Au多层金属膜与未掺杂的Al0.22Ga0.78N/GaN(i-AlGaN/GaN) 异质结构之间的欧姆接触性质.在退火温度低于700 ℃时,两种接触样品上都不能得到欧姆接触.随着退火温度的升高,850 ℃快速退火后,在Ti/Al/Ni/Au 接触上获得了1.26×10-6 Ω*cm2的比接触电阻率,在Ti/Al/Pt/Au接触上获得了1.97×10-5 Ω*cm2的比接触电阻率.研究结果表明,金属与半导体接触界面和Al0.22Ga0.78N异质结构界面载流子沟道之间适当的势垒的存在对高质量欧姆接触的形成起重要作用,势垒的宽度取决于退火温度以及退火的具体进程.对Ti/Al/Ni/Au和Ti/Al/Pt/Au欧姆接触比接触电阻率的差异进行了解释.
关键词:
Ⅲ族氮化物
,
欧姆接触
,
异质结构
,
势垒
