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K2(1-x)SrxZr4(PO4)6陶瓷力学及介电性能研究

硅酸盐通报 doi:10.3969/j.issn.1001-1625.2006.06.003

K2(1-x)SrxZr4(PO4)6 (x=0,0.5,1.0,简称KSZP)属于NZP族材料.本文用直接共沉淀法合成了KSZP粉体.粉料添加质量分数分别为3%的ZnO和3%的SiO2作为助烧剂在100MPa压力下单面加压成型,坯体在1100℃下无压烧结制成KSZP陶瓷.讨论了KSZP陶瓷的抗弯强度及介电性能与工艺参数间的关系,并用扫描电镜对陶瓷断面进行观察,用压汞仪对气孔率进行测试.实验测得KSZP陶瓷的抗弯强度分别为109.00MPa、 88.32MPa和72.18MPa,介电常数为7.26、5.12和4.52,均属于低介电材料.

关键词: KSZP陶瓷 , 抗弯强度 , 介电性能

Bi元素对钛酸锶钡薄膜结构与性能影响的研究

侯宪钦 , 周丽玮 , 陈学江 , 陶文宏 , 付兴华 , 侯文萍

硅酸盐通报 doi:10.3969/j.issn.1001-1625.2006.03.014

研究了微量元素铋对Sr0.5Ba0.5-xBixTiO3薄膜介电性能的影响.当X分别为0～0.030 mol时,相对介电常数εr、介质损耗tanδ逐渐降低,最大介电常数温度点Tm(居里温度点)逐渐移向低温;在所测试频率范围内,εr、tanδ均能表现出较好的频散特性;当铋掺量为0.015mol时,薄膜的Pr为0.22μC/cm2、Ps为0.32μC/cm2、Ec为60kV/cm.采用XRD、FTIR、TEM等测试方法分析了薄膜的结构特征.薄膜的矿物组成为四方钙钛矿结构,但[TiO6]八面体特征吸收峰(471.65cm-1)移向低波数,晶粒粒径减小.

关键词: BST薄膜 , 介电常数 , 介质损耗 , Bi施主掺杂 , 结构特征