陈小庆
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孙利杰
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邬小鹏
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钟泽
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傅竹西
功能材料
用MOCVD方法在Si基片上生长了Al掺杂的SiC薄膜,发现三甲基铝(TMA)源载气流量与硅烷流量之比的大小,会决定薄膜的导电类型.用XPS方法测试样品后发现,TMA载气流量与硅烷流量比直接影响Al原子在SiC薄膜中的含量.Al含量在1.5%以下,Al原子在SiC薄膜中主要以填隙形式(Ali)存在,薄膜显示出n型;而Al含量在1.5%～3%之间的时候,Al原子主要以替位Si(AlSi)的形式存在,薄膜显示出p型.继续增加掺杂源的流量,所得SiC薄膜结晶质量会变得较差,电阻也变得较高.
关键词:
3C-SiC
,
SiC:Al
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MOCVD
,
导电类型
