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高阻硅掩膜选择性生长多孔硅阵列

陈少强 , 朱建中 , 朱自强 , 邵丽 , 王伟明 , 郁可

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2004.01.014

介绍一种在低阻P型硅衬底上用氢离子注入技术形成局部高阻硅掩膜,用电化学腐蚀选择性生长多孔硅微阵列的工艺流程.结果证明,用高阻硅掩膜选择性生长多孔硅具有很好的掩蔽效果,生成的多孔硅阵列的有序性和完整性良好.

关键词: 多孔硅阵列 , 选择性生长 , 高阻硅掩膜