程树英
,
陈岩清
,
钟南保
,
黄赐昌
,
陈国南
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2004.04.009
用阴极恒电流沉积法制备 SnS薄膜.研究了溶液的 pH值、离子浓度比、电流密度等电沉积 参数对薄膜组分的影响,得出制备 SnS薄膜的理想的工艺条件为: pH=2.7,Sn2+ :S2O32- =1:5, J=3.0mA· cm- 2,t=1.5h,并制备出了成分为 Sn0.995S1.005的膜层.用扫描电镜观察了该薄膜的表 面形貌,用 X射线衍射分析了其物相结构,表明它是具有正交结构的 SnS多晶薄膜 ,晶粒大小不一, 在 200- 800nm之间.用分光光度计测量了该薄膜在 400- 3000nm波段的透射光谱和吸收光谱, 发现其在 400- 900nm波段的透过率较低, 在 950- 1000nm附近有明显的吸收边 , 在波长大于 1000nm后其透过率较大.
关键词:
电沉积
,
SnS薄膜
,
电流密度
陈岩清
,
程树英
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2006.01.007
在溶液的pH=2.7,离子浓度比Sn2+/S2O32-=1/5,沉积电位为-0.72～-0.75V(vs.SCE)的条件下,控制溶液的温度在30～50℃之间变化,用阴极恒电位电沉积法在ITO导电玻璃基片上沉积SnS薄膜.通过对薄膜的结构和光学性能研究,结果表明:溶液的温度越高,制备出的SnS薄膜更加致密,均匀,薄膜的衍射峰也越来越明显;同时SnS薄膜对光的吸收范围也向长波方向拓宽.
关键词:
电沉积
,
沉积温度
,
SnS薄膜
