汤春苗
,
陈志蓥
,
朱博
,
张浩然
,
张亚欠
,
曹一江
,
于广辉
材料科学与工程学报
在CVD石墨烯的转移过程中无法避免会出现胶残留,导致了材料不必要的p型掺杂.研究表明,通常来自这种残余胶的p型掺杂影响了石墨烯的电学特性.本文发现NaOH溶液能够有效地去除这种PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯(C5H8O2)x)中的含氧官能团,减少胶残留,并首次将其运用在CVD生长的石墨烯单层薄膜上.通过...
关键词:
石墨烯
,
迁移率
,
PMMA
,
NaOH
吴渊文
,
张燕辉
,
陈志蓥
,
王彬
,
于广辉
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2012.04.008
采用化学气相沉积技术(CVD)在铜箔衬底上实现了石墨烯单晶畴的可控生长,并用两步生长法制备了不同单晶畴尺寸的多晶石墨烯连续膜.利用光学显微镜和拉曼光谱仪对石墨烯的形貌和结构进行了表征.通过对转移到Si02衬底上石墨烯连续膜的霍尔测试发现,石墨烯晶畴尺寸变化对其连续膜的电学性能影响显著.石墨烯连续膜的...
关键词:
石墨烯
,
单晶
,
化学气相沉积
,
拉曼
,
电学性质
