郭福强
,
张保花
,
王伟
,
陈惠敏
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2012.00277
采用普通烧结方法和热压烧结方法制备了K0.5Na0.5NbO3 (KNN)无铅压电陶瓷. 着重研究了两种烧结工艺对陶瓷的微观结构、晶粒形貌及致密度的影响. 研究结果表明, 两种烧结方法制备的陶瓷样品都具有单一的正交钙钛矿结构, 与普通烧结工艺相比, 利用热压烧结工艺制备的样品呈现较高的相对密度(大于98%)、较小的晶粒尺寸 (0.6 μm左右)及较低的介电损耗(1 kHz, tanδ≤2.8%). 实验中发现对于热压烧结的样品, 通过改变后期退火温度, 样品的晶粒尺寸, 致密度可以有规律地变化.
关键词:
热压烧结
,
microstructure
,
crystal morphology
,
lead-free
郭福强
,
张保花
,
王伟
,
陈惠敏
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2012.00277
采用普通烧结方法和热压烧结方法制备了K0.5Na0.5NbO3 (KNN)无铅压电陶瓷.着重研究了两种烧结工艺对陶瓷的微观结构、晶粒形貌及致密度的影响.研究结果表明,两种烧结方法制备的陶瓷样品都具有单一的正交钙钛矿结构,与普通烧结工艺相比,利用热压烧结工艺制备的样品呈现较高的相对密度(大于98％)、较小的晶粒尺寸(0.6μm左右)及较低的介电损耗(1 kHz,tanδ≤2.8％).实验中发现对于热压烧结的样品,通过改变后期退火温度,样品的晶粒尺寸,致密度可以有规律地变化.
关键词:
热压烧结
,
微观结构
,
晶粒形貌
,
无铅压电陶瓷
张奇男
,
姚金城
,
陈龙
,
常爱民
,
陈惠敏
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2016.08.045
采用流变相法制备了NiMn2 O4负温度系数热敏电阻材料,重点研究了不同煅烧温度和烧结温度对NiMn2 O4热敏电阻材料微观形貌和电学性能的影响,并且借助XRD、SEM以及电学测试等手段对其进行了表征.研究结果表明,煅烧温度为850℃时,粉体主要由立方尖晶石相和少量的NiO相组成;当烧结温度为1150℃时,陶瓷样品具有最低的室温电阻率、最高的材料常数B值以及最低的电阻漂移率(ΔR/R),分别为2679Ω?cm、3878 K和0.75%~0.86%.而且不同烧结温度下的陶瓷样品电导激活能都在0.33 eV左右.因此,流变相法制备的NiMn2 O4陶瓷材料具有良好的热稳定性以及热敏性能,满足市场发展的需要.
关键词:
流变相
,
热敏电阻
,
电阻率
,
稳定性
陈惠敏
,
郭福强
,
张保花
材料科学与工程学报
通过传统的水热技术,以CdCl2·2.5H2O和Na2S2O3·5H2O为镉源和硫源,在相对低的温度(100℃)下水热合成了CdS亚微米和微米球.X射线衍射(XRD)分析表明了产物是六方相CdS,电子扫描电镜(SEM)和透射扫描电镜(TEM)观察展示了产物是由大量的粒径为10～20nm的颗粒自组装成的亚微米和微米球;对微米球的拉曼(Raman)谱图、光致发光(PL)谱图和影响产物形貌的因素等进行了分析.
关键词:
CdS
,
水热
,
亚微米和微米球
,
自组装
郭福强
,
张保花
,
陈惠敏
人工晶体学报
通过传统的溶剂热技术,以CdCl2·2.5H2O和硫脲(H2NCSHN2)为镉源和硫源,在不同的反应时间下溶剂热(无水乙二胺)合成了CdS纳米棒.X射线衍射(XRD)分析表明了产物是六方相CdS,扫描电镜(SEM)观察了产物的形貌随反应时间的变化;拉曼(Raman)图谱显示了CdS纳米晶出现了红移;光致发光谱(PL)分析表明CdS纳米晶出现一定的蓝移.
关键词:
CdS
,
溶剂热
,
纳米棒
,
光学性质
