陈敬峰
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杜丕一
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覃莹
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韩高荣
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翁文剑
稀有金属材料与工程
采用溶胶-凝胶工艺,以TbCl3作为掺杂剂,在无规取向的ITO透明导电玻璃基板上成功地制备了高度择优取向的PbTiO3(PT)铁电薄膜.通过对不同前驱溶液浓度、热处理工艺、热处理时间和温度制备的PT薄膜样品的XRD图谱进行分析,得出了较为优化的制备工艺,并在此基础上溅射沉积出具有明显择优取向特征的PST薄膜.很明显,以取向PT作为诱导层,可以得到择优取向的PST薄膜材料.
关键词:
钛酸铅
,
薄膜
,
取向生长
,
诱导层
陈敬峰
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杜丕一
,
覃莹
,
翁文剑
,
韩高荣
稀有金属材料与工程
利用固相烧结法制备的Mg掺杂Pb0.3Sr0.7(Ti1-xMgx)O3-x(PST)陶瓷为靶材,采用射频磁控溅射法在ITO玻璃基板上成功制备了Mg掺杂PST薄膜.用X射线衍射仪、扫描电子显微镜和阻抗分析仪分别测定PST薄膜的物相结构、表面形貌及介电性能.结果显示,薄膜具有良好的钙钛矿结构,无明显的择优取向生成,薄膜表面均匀致密.Mg的掺杂改善了PST薄膜电容值的频率特性,使其更加稳定.薄膜电容值随着掺杂含量的增加而降低,在Mg掺杂量x=0.05左右时达到相对最低值,随后略有升高,介电损耗也有类似现象.薄膜可调性受Mg掺杂量的增加而不断下降,总体下降约3倍,但介电损耗总体下降约达5倍.材料的优值在Mg掺杂量x=0.05时反而有所升高.
关键词:
PST薄膜
,
射频磁控溅射
,
Mg掺杂
,
介电性能
