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基于AlInGaAsP材料的应变平衡量子阱太阳能电池

孙强 , 许军 , 陈文浚 , 娄朝刚

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.05.031

近年来,基于晶格匹配的多结太阳能电池光电转换效率已经接近30%[1,2],中国电子科技集团公司第十八研究所三结GaInP/GaAs/Ge电池技术已经达到小批量生产水平.为了进一步提高多结太阳电池的转换效率,可以采用增加pn结的数量和优化三结电池子电池带宽组合等办法,但上述途径受到材料晶格匹配的限制,...

关键词: 量子阱 , 太阳能电池 , MOCVD , 外延

用于四结电池的InGaAsN材料研究

乔在祥 , 赵新杰 , 陈文浚

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.05.032

随着InGaP2/InGaAs/Ge三结太阳电池技术日趋成熟,具有更高理论效率的基于GaAs体系的四结电池新材料AlInGaP/InGaAs/?(新材料)/Ge已经受到人们的关注,经过计算,要求新材料的禁带宽度应该为0.95eV～1.05eV.InxGa1-xAs1-xNy材料的禁带宽度可以调整为0...

关键词: MOCVD , 转换效率 , 外延

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