戴永胜
,
陈堂胜
,
杨立杰
,
李辉
,
俞土法
,
陈新宇
,
郝西平
,
陈效建
,
林金庭
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.03.002
介绍了一种新颖的在5～20GHz频率范围的共享一个兰格耦合器的22.5°和11.25°MMIC多倍频程移相器的设计、制造和性能.选择了工艺变化对电路性能最小的电路拓扑.在5～20GHz频率范围内,以展示出低的峰值相移误差(≤2°);低的输入/输出驻波(≤1.5)和低插入损耗及起伏(≤(2.6±0.4)dB).芯片尺寸为:4.2mm×0.46mm×0.1mm.
关键词:
微波毫米波单片集成电路
,
开关金属半导体场效应晶体管
,
兰格耦合器
,
多倍频程
,
反射型移相器
戴永胜
,
陈堂胜
,
扬立杰
,
俞土法
,
李辉
,
陈新宇
,
郝西平
,
陈效建
,
林金庭
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.03.003
介绍了一种没有驱动器可兼容多极性控制信号的90°MMIC多倍频程数字/模拟兼容移相器的设计、制造和性能.获得了高性能(在5～20GHz频率范围内,低的峰值相移误差≤(90±5)°;低的输入/输出驻波≤1.5和低插入损耗及起伏≤(3.0±0.5)dB)和小芯片尺寸(4.2mm×0.6mm×0.1mm).
关键词:
微波毫米波单片集成电路数字/模拟移相器
,
多倍频程
,
可兼容多极性控制信号
胡少坚
,
夏冠群
,
冯明
,
詹琰
,
陈新宇
,
蒋幼泉
,
李拂晓
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2003.01.010
成功地设计并制造出 GaAs MESFET霍尔开关集成电路.该电路采用了方形霍尔元件,绝对 灵敏度为 704mV/T;信号处理电路由差分放大电路和触发电路组成,触发电路结构类似于 SCFL 的 D触发器.结果表明,开关性能良好,工作点合理,达到设计要求.实验结果还表明,霍尔元件 和放大电路可构成灵敏度很高的霍尔线性集成电路.
关键词:
霍尔效应
,
磁传感器
,
开关
,
GaAs
,
集成电路
