马继奎
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赵庆勋
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彭增伟
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陈明敬
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史金超
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刘保亭
人工晶体学报
采用磁控溅射的方法在SrRuO3/SrTiO3 (001)衬底上外延生长BiFeO3薄膜,研究以不同金属或氧化物做顶电极时的铁电、铁磁性质和漏电流及其导电机制.X射线衍射图谱和(φ)扫描图结果显示BiFeO3薄膜沿c轴外延生长,以Pt、Al做顶电极的薄膜剩余极化强度2Pr为68μC/cm2,生长Pt/SRO、FePt顶电极的薄膜剩余极化强度较小,2Pr为44μC/cm2,矫顽场2Ec约为370±20 kV/cm.薄膜的漏电流密度较小而且趋于饱和,在U=12 V时最大为1.94×10-3 A/cm2,体传导普尔弗兰克导电为BiFeO3薄膜主要的导电机制.BFO薄膜展现出弱磁性,饱和磁化强度为9.3 emu/cm3,矫顽场为338 Oe.
关键词:
BiFeO3
,
磁控溅射
,
铁电性
,
外延生长
马继奎
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陈明敬
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刘莉丽
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闫英丽
,
张东升
,
史金超
材料导报
研究了多晶硅片表面织构化对太阳能电池电性能的影响,通过调整工艺参数得到腐蚀深度分别为2.9μm、3.8μm、4.6μm的3批样品,采用扫描电子显微镜(SEM)和光谱响应系统表征了表面形貌和反射率,分析了腐蚀深度与后续各制程的关系.对比了绒面反射率及电性能参数,确定了最佳的腐蚀深度.
关键词:
多晶硅
,
酸溶液腐蚀
,
反射率
,
转换效率
马继奎
,
陈明敬
,
王涛
,
王鹏杰
,
张东升
,
安海娇
材料导报
用化学腐蚀方法织构多晶硅片表面,通过调整制程参数获得腐蚀温度分别为12℃、17℃、22℃、29℃的4组样品,利用扫描电子显微镜(SEM)分析化学腐蚀后多晶硅片表面状态,通过反射谱的测试,分析了多晶硅片表面陷光效果,研究腐蚀温度与后续各制程参数的关系.结果表明:随着腐蚀温度的升高,绒面反射率、镀膜膜厚逐渐升高,开路电压、填充因子逐渐增大,短路电流逐渐减小,最终确定了最佳的腐蚀温度.
关键词:
多晶硅
,
酸溶液腐蚀
,
表面织构化
,
腐蚀温度
,
电性能参数
