郭忠诚
,
陈星明
,
方亮
,
王万录
,
廖克俊
材料导报
对正电子湮灭术(PAS)应用于金刚石薄膜中检测空位型缺陷的研究现状进行了综述,对由正电子寿命谱、多普勒宽化因子等数据得到空位型缺陷的浓度与大小等信息的方法进行了归纳与总结,并对正电子技术研究金刚石膜缺陷尚需注意的一些问题进行了初步分析讨论.
关键词:
金刚石薄膜
,
正电子湮灭
,
空位
,
缺陷
陈燕
,
陈星明
,
胡胜坤
,
金玉
,
吴志军
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20153006.0960
以半透明超薄金属银作为阴极,紫外臭氧处理的厚金属银作为阳极,制备了高效率高亮度的黄光硅基顶发射有机发光器件。当电压为9 V 时,器件的最大电流效率为4.9 cd/A,当电压为17 V 时,器件的亮度达到14040 cd/m2。通过增加掺杂浓度及阳极厚度对器件结构进一步优化后,器件性能显著提高,其电流效率在外加电压为10 V 时达到11 cd/A,相应亮度为21748 cd/m2.顶发射器件中存在的微腔效应能有效提高器件的发光效率以及亮度,但是也会使器件的共振波长随着观察视角的增大而蓝移。由于采用合适的发光材料,本实验制备的器件的发光峰值在0°~75°视角范围内几乎没有变化。
关键词:
顶发射
,
有机电致发光器件
,
表面修饰
,
亮度
,
电流效率
于瑶瑶
,
陈星明
,
金玉
,
吴志军
,
陈燕
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20163108.0773
为了能够有效地提高电子的注入和传输能力,改善有机电致发光器件的性能,本文利用 CsN3作为 n 型掺杂剂,对有机电子传输材料 Bphen 进行 n 型电学掺杂,制备了结构为 ITO/MoO 3(2 nm)/NPB(50 nm)/Alq3(30 nm)/Bphen(15 nm)/Bphen∶CsN3(15 nm,x ％,x ＝10,15,20)/Al(100 nm)的器件.实验结果表明,CsN3是一种有效的 n 型掺杂剂,以掺杂层 Bphen∶CsN3作为电子传输层,可以有效地降低电子的注入势垒,改善器件的电子注入和传输能力,从而降低器件的开启电压,同时提高了器件的亮度和发光效率.在掺杂浓度为10％时器件的性能最优,开启电压仅为2．3 V,在7．2 V 的驱动电压下,达到最大亮度29060 cd/m2,是非掺杂器件的2．5倍以上.当驱动电压为6．6 V 时,达到最大电流效率3．27 cd/A.而当掺杂浓度进一步提高时,由于 Cs 扩散严重,发光区形成淬灭中心,造成器件的效率下降.
关键词:
CsN3
,
n 型掺杂
,
有机电致发光器件
,
电流效率
