刘训春
,
陈俊
,
王润梅
,
王惟林
,
李无瑕
,
李爱珍
,
陈建新
,
陈意桥
,
陈晓杰
,
杨全魁
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.03.008
制备了增强型InGaP/InGaAsPHEMT器件结构、阈值控制以及单电源低电压低噪声单片放大器.获得了阈值电压接近0V的增强型InGaP/InGaAsPHEMT器件,并在此基础上设计制作了可在1.5～3V低电压和单电源下工作的2.5GHz低噪声单片放大器.同时对该电路性能的进一步提高进行了模拟分析...
关键词:
单电源
,
InGaP/InGaAs
,
LNA
徐安怀
,
陈晓杰
,
齐鸣
,
朱福英
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2004.04.005
采用气态源分子束外延( GSMBE)技术,以四溴化碳( CBr4)作为碳杂质源,系统研究了 InP衬 底上碳掺杂 p型 InGaAs材料的外延生长及其特性,在 AsH3压力 5.33× 104Pa,生长温度 500℃条件 下获得了空穴浓度高达 1× 1020/cm3、室温迁移率为 45cm2/Vs的...
关键词:
分子束外延
,
碳掺杂
,
四溴化碳
,
InGaAs
,
异质结双极晶体管
