孙和鑫
,
宋柏萱
,
陈红任
,
朱春城
材料导报
doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2016.14.019
采用自蔓延高温合成技术制备了Ti2 SnC粉体材料,利用XRD、SEM、EDS、TEM及DTA等分析手段对其形貌结构进行表征,在室温条件下其晶格参数a和c分别为3.186A和13.630 A.分析了Ti2SnC的形成机制.在Ti-Sn-C反应体系中,Sn在232℃时熔化为液态,随着温度的升高,钛包裹在碳的外面形成钛碳层,继续加热Ti和Sn反应生成Ti-Sn金属间化合物TixSny,如Ti6Sn5和Ti5Sn3,在800℃左右钛碳层形成了TiC,在1100℃左右TiC与TixSnv发生反应生成类盘状的Ti2SnC.
关键词:
Ti2SnC
,
自蔓延高温合成
,
反应机理
陈红任
,
孙和鑫
,
朱春城
人工晶体学报
采用改进的Hummers法合成氧化石墨烯,利用挤压填充法将氧化石墨烯修饰到碳糊电极内,成功地制备了氧化石墨烯修饰碳糊电极并探讨了在此电极上铜离子的循环伏安行为.实验表明:石墨粉与氧化石墨烯材料配比为8∶1,底液pH值为3.0,扫描速率为120 mV/s测定铜离子时为最优实验条件,氧化峰电流与铜离子浓度在4.0×10-8 mol/L～ 1.0×10-3 mol/L范围内呈良好的线性关系,检出限为4.559×10-8 mol/L.氧化石墨烯修饰碳糊电极对铜离子的测定表现出良好的重现性与稳定性.
关键词:
氧化石墨烯
,
化学修饰碳糊电极
,
循环伏安法
,
铜离子
