周邦新
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陈能宽
金属学报
研究了含硅3.25％的铁硅单晶体,在加热到900℃经过35％轧制后的组织结构,和退火后的再结晶织构。观察到样品轧制后在厚度内的畸变程度是不均匀的。退火时在畸变较大的表面层中先发生再结晶,然后再结晶晶粒向着畸变较小的中心层生长。用金相和X射线技术研究后证明:在表面层中与再结晶织构取向相同的轧制织构已经存在,这时同位再结晶是形成再结晶织构的主耍原因;样品在高温退火后形成的再结晶织构,是由于表面层中已再结晶的晶粒向着中心层择优生长的结果。
关键词:
陈能宽
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刘长禄
金属学报
本文研究了含矽量为4.15%,2.9%和3.35%的矽钢片的加工结构和再结晶结构。用X射线测定极图的结果证明:在所有合金中,当最后冷轧轧下量大于60%时,其加工结构是(001)[110],(112)[(?)]及(111)[(?)]。退火后的初次再结晶结构是(001)[110]绕[001]轴旋转0°—30°,(111)[(?)]及(110)[001]。本文还研究了再结晶结构的形成过程,借以了解它的形成机构。结果表明:(1)再结晶结构(001)[110]绕[001]轴旋转0°—30°是通过“同位再结晶”(recrystallizatton in-situ)的过程,然后围绕垂直于压延平面的轴旋转而成。(2)再结晶的最初阶段的(110)[001]结构与加工结构(111)[(?)]在数量上有对应的关系,因此,我们认为用定向生核理论来解释(110)[001]的形成较为适当。在几何关系上,前人曾指出,再结晶结构(110)[001]可认为是由加工结构(111)[112]绕〈110〉轴旋转35°而来,这个观点是与本文结果符合的。(3)在退火过程中,加工结构的消失具有一定顺序:(111)[(?)]最先消失,(001)[110]最后消失。某一加工结构的再结晶本领并不决定于它的相对数量的多少,而是决定于该结构的类型。在含矽量为2.9%的样品中,经一系列的加工及热处理后,获得了发展良好的第二次再结晶结构(110)[001],其偏离度为15°(110)[001]结构即一
关键词:
陈能宽
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刘民治
金属学报
<正> 用作半导体材料的锗和硅,需要高度纯化方能使用,已为众所周知。在研究金属的许多物理性质方面,如结晶凝固的过程,金属的强度、腐蚀及内部原子的扩散,合金的相图等,也常常需要先有纯金属或“纯合金”,方能进一步控制其他条件,系统地研究它们之间相应的规律。
关键词:
