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915-980nm应变量子阱激光器新进展

徐遵图 , 张敬明 , 马骁宇 , 刘素平 , 刘忠顺 , 方高瞻 , 肖建伟 , 陈良惠

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.03.041

报道了915~980nm半导体激光器的最新进展,宽条激光器输出功率为0.2~2.0W,最大输出功率大于5W;基横模脊形波导半导体激光器输出功率达400mW,水平和垂直方向远场发射角分别为70和230,组合件输出功率大于150mW.

关键词: 980nm , 应变量子阱 , 激光器

GaAs/InP键合电学性质的研究

何国荣 , 渠红伟 , 杨国华 , 郑婉华 , 陈良惠

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2010.04.015

Ⅲ-Ⅴ族晶片键合技术对于光电器件的制备和实现光电集成有着重要意义,然而,对于键合界面的电学性质仍然研究较少.采用热电子发射理论,基于界面态能级在禁带中连续分布的假设,根据分布函数结合Ⅰ-Ⅴ测试曲线可建立键合结构的界面态计算模型.利用该模型对不同条件下键合的InP/GaAs电学性质做了分析比较,通过初始势垒的确定,计算并比较了各种键合条件下GaAs/InP键合时的界面电荷及界面态密度.实验及计算结果表明疏水处理表面550℃条件下键合晶片对有更低的表面初始势垒和更少的界面态密度,具有更好的Ⅰ-Ⅴ特性.

关键词: 材料 , 界面态密度 , 热电子发射 , 键合

AlGaInP高亮度发光二极管

李玉璋 , 王国宏 , 马骁宇 , 曹青 , 王树堂 , 陈良惠

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.1999.02.005

分析了AlGaInP材料的特点和AlGaInP高亮度发光二极管发光效率的决定因素,对目前国际上研究比较成熟的一些典型结构进行了综合分析,从理论上指出AlGaInP发光二极管在橙黄波段的发光效率的最终决定因素是光的提取效率,而在黄绿波段是发光二极管的内量子效率.并利用LP-MOCVD技术制备了cd级橙黄高亮度发光二极管,发光波长峰值在605nm,FWHM为18.3nm,20mA工作电流下,5.08cm(2英寸)外延片管芯平均轴向发光强度为20mcd,最大30mcd,平均工作电压1.9V,透明峰值角度2θ1/2=15°时轴向发光强度达到1000mcd.

关键词: AlGaInP , 发光二极管 , 低压有机金属气相外延

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