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氢化物气相外延氮化镓衬底的制备研究

陈洪建 , 张维连 , 陈贵峰 , 李养贤

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2007.z1.020

目前异质外延技术能够得到较高质量的氮化镓(GaN)薄膜,衬底普遍采用蓝宝石、碳化硅以及硅等.各种技术包括缓冲层、外延横向生长技术、悬挂外延技术等是目前最重要的制备氮化镓技术.氢化物气相外延(HVPE)是制备氮化镓衬底最有希望的方法之一.本文介绍了氮化镓材料的电学、光学性质及重要用途,总结了氮化镓体单...

关键词: 氮化镓(GaN) , 氢化物汽相外延(HVPE) , 金属有机化学气相沉积(MOCVD) , 自支撑氮化镓(FS GaN)