彭栋梁
,
王伟
,
王来森
,
陈远志
,
岳光辉
,
隅山兼治
,
日原岳彦
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2009.02.013
采用等离子体增强射频磁控溅射沉积方法,在室温下制备了Fe-O合金薄膜.研究了氧的掺杂量和薄膜厚度对薄膜软磁和高频特性的影响.结果发现少量氧的掺杂不导致低饱和磁化强度铁氧化物的形成,但可使薄膜晶粒细化,矫顽力下降.在薄膜厚度低于150 nm且氧气与氩气相对流量比为2.4%的条件下,薄膜的实部磁导率高达1100且能够维持到1GHz.
关键词:
氧掺杂
,
厚度
,
软磁特性
,
高频特性
钟仁志
,
张长瑞
,
周新贵
,
周安郴
,
陈远志
复合材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-3851.1999.04.003
采用聚碳硅烷(PCS)为先驱体,利用原位生长法制备SiC/Si3N4纳米复相陶瓷,其室温弯曲强度和断裂韧性达到了637 MPa和8.10 MPa.m1/2.研究了材料微观结构的形成及断裂机理,指出在微观结构的形成过程中,控制SiC纳米微晶的生成和β-Si3N4柱状晶的生长是关键,而增韧补强的主要原因在于形成了晶内型结构和长径比大(大于7.5)的Si3N4柱状晶,从而改变了断裂机理.
关键词:
先驱体
,
聚碳硅烷
,
原位生长法
,
SiC/Si3N4纳米复相陶瓷