郭艳蕊
,
严慧羽
,
宋庆功
,
郭松青
,
陈逸飞
材料导报
采用基于密度泛函理论框架下的第一性原理方法,结合广义梯度近似研究了Cu掺杂β-Ga2O3系统的磁学特性.计算结果表明,单Cu的掺杂,稳定体系倾向于自旋极化态,且Cu替代八面体的Ga(B)时系统更稳定,容易在实验上形成;Cu掺杂β-Ga2O3呈现出半金属特性,Cu的掺杂引入了2.0μB磁矩,其中局域在...
关键词:
第一性原理
,
Cu掺杂β-Ga2O3
,
电子结构
,
磁耦合
宋庆功
,
徐霆耀
,
杨宝宝
,
郭艳蕊
,
陈逸飞
材料导报
doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2015.18.027
宽禁带半导体β-Ga2O3因其出色的物理化学性能而备受关注,通过掺杂改善β-Ga2O3性能一直是研究的热点.采用基于密度泛函理论的第一性原理方法,利用广义梯度近似加U对Mg单原子掺杂β-Ga2O3体系的晶体结构、电子结构和光学性质等进行了研究和分析.总能量和结合能的对比显示:单原子替位掺杂β-Ga2...
关键词:
Mg掺杂β-Ga2O3
,
第一性原理
,
晶体结构
,
电子结构
,
光学性质
郭艳蕊
,
严慧羽
,
宋庆功
,
陈逸飞
,
郭松青
材料导报
doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2015.08.032
采用基于密度泛函理论框架下的第一性原理计算方法,研究了Ti掺杂β-Ga2 O3系统的电子结构和光学性质.计算结果表明,Ti替代八面体的Ga(2)时系统形成能最低,容易在实验上合成;Ti掺杂在导带底附近引入了浅施主能级,极大地提高了β-Ga2 O3系统的导电性.Ti掺杂时稳定体系倾向于自旋极化态,且费...
关键词:
第一性原理
,
Ti掺杂β-Ga2O3
,
电子结构
,
光学性质
郭艳蕊
,
严慧羽
,
宋庆功
,
陈逸飞
,
郭松青
材料导报
doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2016.06.031
采用基于密度泛函理论框架下的第一性原理计算方法,对纤锌矿结构CdS和CdS:Ni几何结构、能带结构、电子态密度和光学性质进行了系统的研究.计算结果表明,Ni原子掺入CdS后晶格常量均减小,晶格发生局部畸变;Ni的掺杂在费米面附近引入杂质能级,极大地提高了CdS系统的导电性.光学性质的计算结果显示,掺...
关键词:
第一性原理
,
Ni掺杂CdS
,
电子结构
,
光学性质
