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第Ⅵ族元素半导体纳米线的可控合成及其纳米电子学器件研究

覃东欢 , 刘红梅 , 陶洪 , 兰林峰 , 陈军武 , 曹镛

材料工程 doi:10.3969/j.issn.1001-4381.2008.10.020

采用化学液相反应,以亚硒酸或者原碲酸为原料,合成出尺寸均匀、高结晶度的硒、碲纳米线.高分辨电镜分析结果表明:合成的硒、碲纳米线均为三方晶单晶结构,生长方向沿其螺旋轴即[001]方向生长.结合光刻、电子束刻蚀技术,分别制备了硒、碲纳米线场效应晶体管器件(FET).对器件测试的结果显示:硒和碲纳米线均为P型半导体,其相应的空穴迁移率分别为30.7,70cm2V-1 s-1.这对新型纳米线电子学器件的开发应用具有重要意义.

关键词: Ⅵ族半导体 , 纳米线 , 场效应晶体管

闪锌矿CdSe纳米晶的可控合成及其与MEH-PPV共混光电池的器件性能研究

覃东欢 , 赵云 , 陶洪 , 韩丽丽 , 蒋希

功能材料

采用溶剂热方法制备了闪锌矿CdSe纳米颗粒,利用TEM、XRD、荧光分析仪对其形貌、结构及光学性能进行了表征.结果表明,纳米颗粒的直径在3~5nm左右,为闪锌矿结构;其吸收峰在600nm左右,并与合成CdSe纳米晶所用的羧酸盐的链长略有差别;将CdSe与MEH-PPV(聚苯乙烯撑)共混,发现有明显的荧光淬灭现象;共混材料制成光电池器件,在模拟太阳光照射下获得了0.85%的能量转化效率.

关键词: CdSe纳米晶 , 共混型光电池 , 光电性能

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