张德贤
,
薛颖
,
蔡宏琨
,
陶科
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姜元建
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赵敬芳
,
王林申
,
隋妍萍
人工晶体学报
量子效率是太阳电池对光的吸收能力的评定标准之一.本文通过对柔性衬底倒结构n-I-p非晶硅薄膜太阳电池量子效率的测量,同时结合本征材料吸收特性,讨论了衬底温度和反应压强对太阳电池量子效率的影响.结果表明:本征非晶硅薄膜的吸收特性是影响太阳电池量子效率的主要因素,同时光生载流子在本征层和界面处的复合也会对太阳电池的量子效率有所影响.经过反应条件优化得到了转换效率为5.67%的聚酰亚胺衬底太阳电池.
关键词:
柔性衬底
,
n-i-p太阳电池
,
量子效率
,
非晶硅薄膜
王笑龙
,
于广辉
,
雷本亮
,
隋妍萍
,
孟胜
,
齐鸣
,
李爱珍
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2006.04.001
介绍了一种在氮化镓外延片表面制备得到孔径为纳米量级的多孔结构的工艺.用电化学方法制备出孔径为纳米量级的多孔阳极氧化铝模板作为掩模,经过电感耦合等离子体(ICP)刻蚀制备得到纳米孔氮化镓材料.孔的大小和孔间距可以通过改变阳极氧化条件来控制,改变刻蚀时间可以控制孔深.刻蚀所用气体为氯气和惰性气体的混合物.扫描电镜照片显示,掩模图形能够很好地转移到GaN材料上.刻蚀后的材料经光荧光谱(PL Spectra)谱和Raman散射谱测试,显示出良好的光学特性,并在一定程度上释放了应力.
关键词:
氮化镓
,
纳米孔
,
阳极氧化铝
,
ICP刻蚀
,
Raman
王斌
,
赵志德
,
隋妍萍
,
徐伟
,
于广辉
功能材料与器件学报
使用钠熔液液相外延在GaN/蓝宝石衬底上生长出GaN晶体;研究晶体生长速度与生长压力的关系,使用DCXRD对样品进行表征,发现在氮气压力为3.8MPa,温度为800℃的条件下,外延速度较快且结晶质量较高;研究还发现GaN晶体外延层的生长速率不但与溶液中N的输运有关,还与熔液中N的浓度有关.
关键词:
氮化镓
,
液相外延
,
XRD
隋妍萍
,
阮建明
,
李涛
,
蔡宏琨
,
何炜瑜
,
张德贤
人工晶体学报
采用共蒸发的方法在玻璃衬底上制备出GaSb多晶薄膜材料.研究了薄膜生长速率与衬底温度、Ga源温度和Sb源温度的关系.通过XRD、UV-Vis、Hall效应和AFM等测试方法,研究了衬底温度对于GaSb薄膜的结构特性、光电性质以及表面形貌的影响.GaSb多晶薄膜具有(111)择优取向,薄膜的吸收系数达到105 cm-1,晶粒尺寸随衬底温度升高逐渐增大；衬底温度为540℃时,薄膜的迁移率达到127 cm2/V·s,空穴浓度为3×1017 cm-3.GaSb薄膜的表面粗糙度随温度增加而增加.
关键词:
GaSb多晶薄膜
,
共蒸发
,
衬底温度
阮建明
,
隋妍萍
,
李涛
,
何炜瑜
,
蔡宏琨
,
张德贤
功能材料
GaSb的禁带宽度为0.72eV,是热光伏电池的理想材料。采用共蒸发的方法,在普通玻璃衬底上生长GaSb多晶薄膜。通过XRD谱、Hall及透射反射谱测试,研究了Ga、Sb源的蒸发温度、衬底温度以及薄膜厚度对薄膜的结构特性和光电特性的影响。研究表明,随衬底温度的升高、薄膜厚度的增加,晶粒尺寸逐渐增大;随衬底温度的升高、Ga源温度的降低以及厚度的增加,迁移率逐渐上升,迁移率最高可达172cm2/（V.s）;随衬底温度的降低、Ga源温度的提高以及厚度的增加,载流子浓度逐渐增加。
关键词:
GaSb多晶薄膜
,
共蒸发
,
Hall
,
XRD
