王欣
,
王发展
,
雷哲锋
,
马姗
,
王哲
,
吴振
,
何银花
人工晶体学报
本文采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,研究了不同横截面氧化锌纳米线(ZnONW)的结构稳定性和场致发射特性.结果表明:ZnONW的直径越大,原子弛豫后Zn-O键键长变化越小,体系越稳定;随外加电场增强,长径比较大的纳米线体系态密度(DOS)和分波态密度(PDOS)均向低能方向移动,最高占据分子轨道(HOMO)-最低未占据分子轨道(LUMO)能隙减少,体系电荷移向NW顶端.DOS/PDOS,HOMO/LUMO,能隙及有效功函数分析结果表明,具有较小横截面积的NW-1场发射性能最佳.
关键词:
第一性原理
,
ZnO纳米线
,
场发射
,
电子结构
雷哲锋
,
王发展
,
张立岗
,
王欣
,
陈霞
,
王博
,
尚志新
人工晶体学报
采用基于密度泛函理论的计算方法,系列的研究了锯齿型(9,0) ZnO单壁纳米管、Li,N分别掺杂以及Li-2N共掺杂的ZnO纳米管的能带结构、总体态密度、分波态密度.分析发现虽然Li原子单独掺杂不会对纳米管能带结构产生明显影响,但是Li-2N共掺杂比N单独掺杂ZnO纳米管的结构更加稳定,而且Li-2N共掺杂ZnO纳米管是p型简并半导体.
关键词:
ZnO纳米管
,
第一性原理
,
电子结构
,
Li-N共掺
雷哲锋
,
王发展
,
赵超
,
陈霞
,
王博
人工晶体学报
采用基于密度泛函理论(Density functional theory)的计算方法,研究了n--4,6,9的锯齿型(n,0)ZnO单壁纳米管的电子结构,结果表明:锯齿型ZnO单壁纳米管是一种直接宽禁带半导体,其能隙随着横截面的增大而小量增大,并分析了锯齿型单壁纳米管的核外电子分布.
关键词:
ZnO纳米管
,
第一性原理
,
电子结构
赵超
,
王发展
,
雷哲锋
,
张顾钟
,
刘勃
材料导报
回顾了国内外Zn<,1-x>Cd<,x>O合金带隙研究的发展历程,总结和归纳了近10年来关于Zn<,1-x>Cd<,x>O合金中CA原子分数x与E<,g>(eV)关系的数据及理论等研究成果.在此基础上,以近10年来文献中的试验数据作为分析样本,考虑多种情况对其进行回归拟合,并对不同拟合方法及Cd含量时E<,g>的影响进行了深入的分析讨论.建立了Cd含量x与E<,g>的经验关系式(x-E<,g>关系式).与试验值相比,使用新x-E<,g>关系式预测得到的E<,g>值与其符合得较好,表明所建立的关系式能比较准确地反映Zn<,1-x>Cd<,x>O合金中Cd含量x与E<,g>之间的关系.
关键词:
Zn1-xCdxO合金
,
带隙
,
回归拟合
,
掺杂
,
定量关系
赵超
,
王发展
,
雷哲锋
,
张顾钟
,
刘勃
材料导报
回顾了国内外Zn1-xCdxO合金带隙研究的发展历程,总结和归纳了近10年来关于Zn1-xCdxO合金中Cd原子分数x与Eg(eV)关系的数据及理论等研究成果.在此基础上,以近10年来文献中的试验数据作为分析样本,考虑多种情况对其进行回归拟合,并对不同拟合方法及Cd含量对Eg的影响进行了深入的分析讨论,建立了Cd含量x与Eg的经验关系式(x-Eg关系式).与试验值相比,使用新xEg关系式预测得到的Eg值与其符合得较好,表明所建立的关系式能比较准确地反映Zn1-x CdxO合金中Cd含量x与Eg之间的关系.
关键词:
Zn1-xCdxO合金
,
带隙
,
回归拟合
,
掺杂
,
定量关系
雷哲锋
,
王发展
,
王欣
,
陈霞
,
王博
人工晶体学报
采用热蒸发法制备得到掺Cd量为3.3at％的ZnO纳米管,室温光致发光谱(PL)显示,由于Cd的掺入,ZnCdO纳米管的紫外近带边发射( UV NBE)从纯ZnO的3.26eV红移到3.20 eV附近.应用基于密度泛函理论研究锯齿型(9,0)ZnMO(M =Cd,Mg)单壁纳米管的电子结构.分析发现Cd掺杂纳米管与薄膜相似,能隙随掺杂量增加逐渐减小,出现红移；而Mg掺杂纳米管则不同,能带变化没有规律性.
关键词:
ZnO纳米管
,
Cd掺杂
,
Mg掺杂
,
红移
