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反应溅射法在蓝宝石衬底上制备CeO2缓冲层

雷跃刚 , 王霈文 , 李弢 , 古宏伟

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2007.06.006

用金属铈作为靶材, 采用射频反应磁控溅射法在(1102)蓝宝石衬底上制备C轴取向CeO2外延薄膜缓冲层. 结果表明在温度低于450 ℃或溅射功率低于50 W的条件下CeO2 薄膜呈(111)取向生长; 升高温度和功率CeO2薄膜的(111)取向减弱, (002)取向增强; 在温度高于750 ℃或溅射...

关键词: 反应溅射 , CeO2缓冲层 , 蓝宝石 , 外延生长